CMOSセンサの総合評価(C0537)

スマートフォン部品のリバースエンジニアリング

MST技術資料No.C0537
掲載日2018/11/29
測定法・加工法[SEM]走査電子顕微鏡法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)
製品分野光デバイス
電子部品
分析目的組成評価・同定
形状評価
構造評価

概要

市販品のスマートフォンからレンズ、CMOSセンサチップをそれぞれ取り出し、評価した事例をご紹介します。
目的に応じて研磨・FIB加工により、平面、断面を作製し、TEM,SEMにより層構造やレイヤーを確認しまた。さらに、EDXにより膜種の同定を行いました。MSTでは、解体から分析まで一貫してお引き受けが可能です。

データ

関連する分析事例

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
CMOSセンサの総合評価 2018/11/29 CMOSセンサの総合評価(C0537) [SEM]走査電子顕微鏡法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)
光デバイス
電子部品
組成評価・同定
形状評価
構造評価
PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価 2017/11/15 PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価(C0494) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[PL]フォトルミネッセンス法
[FIB]集束イオンビーム加工
その他
パワーデバイス
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
AFMによる注射針の表面微細構造観察 2017/10/26 AFMによる注射針の表面微細構造観察(C0493) [SEM]走査電子顕微鏡法
[AFM]原子間力顕微鏡法
医薬品
形状評価
製品調査
安全性試験
リチウムイオン二次電池正極材料の原子分解能分析 2017/08/03 リチウムイオン二次電池正極材料の原子分解能分析(C0475) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)
[TEM-EELS]電子エネルギー損失分光法
[ED]電子回折法
二次電池
組成評価・同定
組成分布評価
構造評価
AESによるCu表面変色部の評価 2016/12/01 AESによるCu表面変色部の評価(C0451) [AES]オージェ電子分光法
[SEM]走査電子顕微鏡法
[SEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(SEM)
LSI・メモリ
電子部品
製造装置・部品
組成評価・同定
組成分布評価
高電子移動度トランジスタの評価 2016/02/25 高電子移動度トランジスタの評価(C0410) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EELS]電子エネルギー損失分光法
パワーデバイス
膜厚評価
構造評価
ABF-STEM観察によるGaNの極性評価 2016/02/18 ABF-STEM観察によるGaNの極性評価(C0409) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
パワーデバイス
光デバイス
形状評価
膜厚評価
構造評価
塗料と基材界面の状態観察 2015/10/15 塗料と基材界面の状態観察(C0391) [SEM]走査電子顕微鏡法
[IP法]Arイオン研磨加工
クライオ加工
日用品
形状評価
膜厚評価
製品調査
導電性塗料中の成分の分析 2015/10/15 導電性塗料中の成分の分析(C0400) [SEM]走査電子顕微鏡法
[FIB]集束イオンビーム加工
クライオ加工
日用品
組成評価・同定
組成分布評価
形状評価
製品調査
電子回折の種類と特徴 2015/09/17 電子回折の種類と特徴(B0214) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[ED]電子回折法
その他
形状評価
構造評価
故障解析・不良解析
劣化調査・信頼性評価
製品調査

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