GaN膜の組成・結合状態分析(C0381)
X線源を選択することで目的に合わせた評価が可能です
概要
LEDやパワーデバイスに用いられるGaN膜について、XPSを用いて組成・結合状態を評価した例を紹介します。成膜条件や表面処理等により、組成や結合状態がどのように変わるのかを把握しておくことは、プロセス管理等に有効です。
評価の際は、目的に応じて使用するX線を適切に選択することが重要です。着目ごとの測定条件を併せてご紹介します。
データ
GaN膜の最表面でXPS分析を行いました。
GaはGaN状態を主に、O1sスペクトルより酸化状態も存在することが確認されました。
XPSでGaN膜を評価する際には、使用するX線ごとにスペクトルの重なりが発生するため炭素C及び窒素Nの定量精度低下や評価不可といった影響が現れます。また、測定領域に対してもX線種を選択する必要があるため、ご着目に合わせた測定条件で評価を行います。
単色化AlKα線を用いる場合:微小領域の場合やCを含めた評価に適しています。
MgKα線を用いる場合:Nについて精度の高い評価に適しています。
MST技術資料No. | C0381 |
掲載日 | 2015/05/21 |
測定法・加工法 | [XPS]X線光電子分光法
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製品分野 | パワーデバイス 光デバイス 照明 ディスプレイ 酸化物半導体
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分析目的 | 組成評価・同定 化学結合状態評価
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