XPSによるGaN膜の組成・結合状態評価(C0381)

目的に合わせた測定条件で評価を行います

MST技術資料No.C0381
掲載日2015/05/21
測定法・加工法[XPS]X線光電子分光法
製品分野パワーデバイス
光デバイス
照明
ディスプレイ
酸化物半導体
分析目的組成評価・同定
化学結合状態評価

概要

LEDやパワーデバイスに用いられるGaN膜について、XPSを用いて組成・結合状態を評価した例を紹介します。成膜条件や表面処理等により、組成や結合状態がどのように変わるのかを把握しておくことは、プロセス管理等に有効です。
評価の際は、目的に応じて使用するX線を適切に選択することが重要です。着目ごとの測定条件を併せてご紹介します。

データ

GaN膜の最表面でXPS分析を行いました。
GaはGaN状態を主に、O1sスペクトルより酸化状態も存在することが確認されました。

XPSでGaN膜を評価する際には、使用するX線ごとにスペクトルの重なりが発生するため炭素C及び窒素Nの定量精度低下や評価不可といった影響が現れます。また、測定領域に対してもX線種を選択する必要があるため、ご着目に合わせた測定条件で評価を行います。

単色化AlKα線を用いる場合:微小領域の場合やCを含めた評価に適しています。

MgKα線を用いる場合:Nについて精度の高い評価に適しています。

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