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分析事例一覧

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
Xe-プラズマFIBによる構造解析 2020/07/16 Xe-プラズマFIBによる構造解析(B0255) ［SEM］走査電子顕微鏡法
［Slice&View］三次元SEM観察法
［EBSD］電子後方散乱回折法
［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法
X線CT法
［FIB］集束イオンビーム加工
その他
 LSI・メモリ
 形状評価
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
二次電池正極活物質の総合評価 2020/07/09 二次電池正極活物質の総合評価(C0607) ［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法
［ICP-MS］誘導結合プラズマ質量分析法
［SEM］走査電子顕微鏡法
［SEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（SEM）
［EBSD］電子後方散乱回折法
［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法
［XRD］X線回折法
［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法
 二次電池
 組成評価・同定
化学結合状態評価
組成分布評価
形状評価
構造評価
製品調査
二次電池正極活物質の構造評価 2020/07/09 二次電池正極活物質の構造評価(C0605) ［SEM］走査電子顕微鏡法
［EBSD］電子後方散乱回折法
［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法
 二次電池
 形状評価
構造評価
製品調査
STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した多結晶体の結晶構造解析 2019/03/14 STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した多結晶体の結晶構造解析(C0557) ［EBSD］電子後方散乱回折法
［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法
計算科学・AI・データ解析
 LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
二次電池
酸化物半導体
 構造評価
XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価 2015/06/25 XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価(C0384) ［SEM］走査電子顕微鏡法
［EBSD］電子後方散乱回折法
［XRD］X線回折法
 パワーデバイス
 形状評価
構造評価
透過EBSD法による30nm以下の結晶粒解析 2014/02/13 透過EBSD法による30nm以下の結晶粒解析(B0188) ［EBSD］電子後方散乱回折法
 LSI・メモリ
電子部品
 構造評価
CIGS薄膜太陽電池特定結晶粒の評価 2010/04/01 CIGS薄膜太陽電池特定結晶粒の評価(C0175) ［EBIC］電子線誘起電流
［EBSD］電子後方散乱回折法
［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法
［ED］電子回折法
 太陽電池
 形状評価
構造評価
CIGS薄膜太陽電池の結晶粒と抵抗評価 2010/04/01 CIGS薄膜太陽電池の結晶粒と抵抗評価(C0174) ［EBSD］電子後方散乱回折法
［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法
 太陽電池
 形状評価
構造評価
SEM装置での歪み評価 2010/01/01 SEM装置での歪み評価(B0098) ［EBSD］電子後方散乱回折法
 LSI・メモリ
電子部品
太陽電池
 構造評価
応力・歪み評価
CIGS膜の結晶粒評価 2010/01/01 CIGS膜の結晶粒評価(C0126) ［SEM］走査電子顕微鏡法
［EBSD］電子後方散乱回折法
 太陽電池
 形状評価
構造評価
CIGS膜のpn接合評価および結晶粒評価 2010/01/01 CIGS膜のpn接合評価および結晶粒評価(C0129) ［SEM］走査電子顕微鏡法
［EBIC］電子線誘起電流
［EBSD］電子後方散乱回折法
 太陽電池
 形状評価
構造評価
バンプの広域断面観察 2010/01/01 バンプの広域断面観察(C0089) ［SEM］走査電子顕微鏡法
［SEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（SEM）
［EBSD］電子後方散乱回折法
［IP法］Arイオン研磨加工
 電子部品
 組成評価・同定
組成分布評価
形状評価
構造評価
製品調査
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