SEM装置での歪み評価(B0098)

EBSD:電子後方散乱回折法

MST技術資料No.B0098
掲載日2010/01/01
測定法・加工法[EBSD]電子後方散乱回折法
製品分野LSI・メモリ
電子部品
太陽電池
分析目的構造評価
応力・歪み評価

概要

TEM(NBD:Nano Beam Diffraction)のような薄片化加工を行うことなく、バルク状態での測定が可能です。
SEM特有の高い空間分解能を持ち、比較的高い歪み感度を持っています。
また、局所的な格子歪みをテンソルデータとして検出できる可能性があります。*

EBSD歪み測定の原理

歪み測定各手法との比較

※)引用:鈴木清一, David J. Dingley:"EBSDパターンを用いた格子歪みの精密測定", 顕微鏡Vol.42, No.2

データ例

SOI基板の断面歪み解析結果:ラマン測定との比較

SOI基板の断面歪み解析結果:3方向での歪み解析データの比較

※x2方向(試料傾斜方向)ではビームが広がるため、信頼性が低くなります。

仕様

  • 測定実績:Si, GaN, InP等
  • 測定可能領域:1μm~数十μm(ライン分析)
  • 分解能:数十nm~

注意点

  • 分析の際、凹凸の影響を大きく受けます。
  • 測定ライン中、もしくはその延長線上から参照パターンを取得する必要があります。

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