CIGS膜の結晶粒評価(C0126)

SEMによる結晶方位解析

MST技術資料No.C0126
掲載日2010/01/01
測定法・加工法[SEM]走査電子顕微鏡法
[EBSD]電子後方散乱回折法
製品分野太陽電池
分析目的形状評価
構造評価

概要

CIGS薄膜多結晶太陽電池は低コスト化・大面積化・高品質化を期待されている次世代の太陽電池として開発が進められており、その際に結晶情報が必要とされています。EBSD法ではCIGS膜の結晶粒評価が可能です。
EBSD法で得られる結晶情報は主に配向性・結晶粒径などです。

データ

サンプルご提供:東京工業大学 山田明研究室

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イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
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