CIGS薄膜太陽電池の結晶粒と抵抗評価(C0174)

同一箇所における抵抗分布と結晶粒・結晶粒界評価

MST技術資料No.C0174
掲載日2010/04/01
測定法・加工法[EBSD]電子後方散乱回折法
[SSRM]走査型広がり抵抗顕微鏡法
製品分野太陽電池
分析目的形状評価
構造評価

概要

SSRMでは局所抵抗に関する知見を、EBSDでは結晶粒・粒界に関する知見を得ることができます。
EBSD測定と同一箇所でSSRM測定を行うことで、結晶粒界部を含んだ領域の局所抵抗を測定しましたので紹介いたします。

データ

サンプルご提供:東京工業大学 山田明研究室 [Ref.] 高野他,第57回応用物理学関係連合講演会(2010年春季18p-TK-7)

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