CIGS薄膜太陽電池の結晶粒と抵抗評価(C0174)

同一箇所における抵抗分布と結晶粒・結晶粒界評価

概要

SSRMでは局所抵抗に関する知見を、EBSDでは結晶粒・粒界に関する知見を得ることができます。
EBSD測定と同一箇所でSSRM測定を行うことで、結晶粒界部を含んだ領域の局所抵抗を測定しましたので紹介いたします。

データ

サンプルご提供：東京工業大学　山田明研究室　[Ref.] 高野他，第57回応用物理学関係連合講演会（2010年春季18ｐ-TK-7）

この分析事例のPDFファイルを開く CIGS薄膜太陽電池の結晶粒と抵抗評価

MST技術資料No.	C0174
掲載日	2010/04/01
測定法・加工法	［EBSD］電子後方散乱回折法［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法
製品分野	太陽電池
分析目的	形状評価構造評価

関連する分析事例

掲載日	タイトル	測定法・加工法	製品分野	分析目的
2023/05/25	積層セラミックコンデンサ(MLCC)の加熱SSRM分析(C0694)	［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法	電子部品	形状評価故障解析・不良解析
2020/07/16	Xe-プラズマFIBによる構造解析(B0255)	［SEM］走査電子顕微鏡法［Slice&View］三次元SEM観察法［EBSD］電子後方散乱回折法［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法 X線CT法［FIB］集束イオンビーム加工その他	LSI・メモリ	形状評価構造評価故障解析・不良解析製品調査
2020/07/09	二次電池正極活物質の総合評価(C0607)	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法［ICP-MS］誘導結合プラズマ質量分析法［SEM］走査電子顕微鏡法［SEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（SEM）［EBSD］電子後方散乱回折法［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法［XRD］X線回折法［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法	二次電池	組成評価・同定化学結合状態評価組成分布評価形状評価構造評価製品調査
2020/07/09	二次電池正極の抵抗値およびLiの分布評価(C0606)	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法［SEM］走査電子顕微鏡法［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法［IP法］Arイオン研磨加工	二次電池	組成分布評価形状評価製品調査
2020/07/09	二次電池正極活物質の構造評価(C0605)	［SEM］走査電子顕微鏡法［EBSD］電子後方散乱回折法［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法	二次電池	形状評価構造評価製品調査
2020/04/30	LIB(リチウムイオン)正極材料の抵抗分布評価(C0315)	［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法	二次電池	組成分布評価形状評価劣化調査・信頼性評価
2019/03/14	STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した多結晶体の結晶構造解析(C0557)	［EBSD］電子後方散乱回折法［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法計算科学・AI・データ解析	LSI・メモリパワーデバイス光デバイス太陽電池二次電池酸化物半導体	構造評価
2015/06/25	XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価(C0384)	［SEM］走査電子顕微鏡法［EBSD］電子後方散乱回折法［XRD］X線回折法	パワーデバイス	形状評価構造評価
2014/02/13	透過EBSD法による30nm以下の結晶粒解析(B0188)	［EBSD］電子後方散乱回折法	LSI・メモリ電子部品	構造評価
2011/10/27	リチウムイオン二次電池の電極材料の評価(C0219)	［AFM］原子間力顕微鏡法［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法	二次電池	形状評価劣化調査・信頼性評価その他

分析のご相談・お申し込み

知識豊富な営業担当が、最適な分析プランをご提案。
分析費用のお見積りもお気軽にお問い合わせください。
相談・お申し込みは、専用のフォームかお電話でどうぞ。

webからのお問い合わせはこちら

分析お問い合わせフォーム

お電話からのお問い合わせはこちら