透過EBSD法による30nm以下の結晶粒解析(B0188)

EBSD：電子後方散乱回折法

透過EBSD法による空間分解能の向上

薄片化した試料でEBSD分析を行うことにより、従来のバルク試料よりも高い空間分解能を得ることができます。^※

※)引用：R. R. Keller, R.H. Geiss : "Transmission EBSD from 10 nm domains in a scanning electron microscope", Journal of Microscopy, Vol. 245, Pt 3 2012, pp. 245-251

分析事例

Cu膜のEBSD測定

薄片化することにより、これまで測定が難しかった10～30nmの小さい結晶粒の検出が可能となっています。

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MST技術資料No.	B0188
掲載日	2014/02/13
測定法・加工法	［EBSD］電子後方散乱回折法
製品分野	LSI・メモリ電子部品
分析目的	構造評価

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