バンプの広域断面観察(C0089)

イオンポリッシュによる断面作製で微小特定箇所の広域観察が可能です

MST技術資料No.C0089
掲載日2010/01/01
測定法・加工法[SEM]走査電子顕微鏡法
[SEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(SEM)
[EBSD]電子後方散乱回折法
[IP法]Arイオン研磨加工
製品分野電子部品
分析目的組成評価・同定
組成分布評価
形状評価
構造評価
製品調査

概要

イオンポリッシュ(IP)法では、機械研磨法で問題となっていた加工ダメージ(界面の剥離・硬さの違いによる段差・研磨による傷など)が少ない断面の作製が可能です。加工位置精度も向上し、微小部位を含む広域断面作製も可能です。結晶の損傷が少ないため、綺麗な結晶パターンが得られます。また、機械的応力の影響がないため、内部構造を忠実に保存したまま、AES分析・SEM観察・EDX分析などにより、詳細に特定部位の断面構造を評価できます。

データ

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