CIGS薄膜太陽電池特定結晶粒の評価(C0175)

任意断面のEBIC測定で特徴があった箇所の直交断面観察

MST技術資料No.C0175
掲載日2010/04/01
測定法・加工法[EBIC]電子線誘起電流
[EBSD]電子後方散乱回折法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[ED]電子回折法
製品分野太陽電池
分析目的形状評価
構造評価

概要

EBICとEBSDで電気的性質と結晶の関連性についての知見が得られますが、情報の深さが異なります。EBIC分布測定で電気的性質が特徴的であった箇所について、直交断面を作製し、奥行き方向のSTEM像観察を行いました。また、各結晶粒について電子回折を測定しました。これにより、電気的性質と結晶粒・結晶粒界の関係がより一層、明らかになりました。STEM観察および電子回折測定を行うことにより、特定箇所の結晶粒について局所的な情報を得ることが可能です。

データ

サンプルご提供:東京工業大学 山田明研究室 [Ref.]草葉他,第57回応用物理学関係連合講演会(2010年春季18p-TK-8)

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