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Xe-プラズマFIBによる構造解析(B0255)

Xe-プラズマFIB（Xe-Plasma Focused Ion Beam）

数百μmの広い領域を対象に精密加工/構造評価が可能

Xe-プラズマFIBによる構造解析

解析事例：DRAMパッケージ内ボンディングの広域断面解析

Xe-プラズマFIBによる構造解析 Xe-プラズマFIB加工断面のSEM像と電子後方散乱回析法(EBSD像) ワイヤーボンディングのXe-プラズマFIB加工断面のSEM像 ワイヤーボンディング断面の電子後方散乱回析法(EBSD像)

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MST技術資料No.B0255
掲載日2020/07/16
測定法・加工法［SEM］走査電子顕微鏡法
［Slice&View］三次元SEM観察法
［EBSD］電子後方散乱回折法
［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法
X線CT法
［FIB］集束イオンビーム加工
その他
製品分野LSI・メモリ
分析目的形状評価
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査

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