分析事例

フリーワード

分析事例一覧

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析 2023/03/23 深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析(C0692) [SIMS]二次イオン質量分析法
パワーデバイス
光デバイス
照明
ディスプレイ
微量濃度評価
製品調査
不純物評価・分布評価
撥水箇所の成分分析 2023/02/02 撥水箇所の成分分析(C0686) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
電子部品
照明
ディスプレイ
製造装置・部品
酸化物半導体
高分子材料
日用品
組成分布評価
不純物評価・分布評価
剥離原因となる金属界面の有機物評価 2022/11/10 剥離原因となる金属界面の有機物評価(B0285) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
電子部品
製造装置・部品
酸化物半導体
故障解析・不良解析
不純物評価・分布評価
耐候性試験による製品劣化調査 2022/08/11 耐候性試験による製品劣化調査(C0676) その他
耐候性試験
光デバイス
電子部品
太陽電池
照明
ディスプレイ
日用品
劣化調査・信頼性評価
製品調査
安全性試験
デバイスの金属膜中および界面における金属不純物の評価 2020/12/10 デバイスの金属膜中および界面における金属不純物の評価(C0638) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
電子部品
製造装置・部品
酸化物半導体
故障解析・不良解析
製品調査
信頼性試験の一覧 2020/10/08 信頼性試験の一覧(B0263) その他
耐候性試験
恒温恒湿試験
TCC試験
熱衝撃試験
振動試験
衝撃試験
接合強度試験
はんだ耐熱性試験
はんだ濡れ性試験
気密性試験
PIND試験
ESD試験
パワーデバイス
光デバイス
電子部品
太陽電池
照明
ディスプレイ
製造装置・部品
故障解析・不良解析
劣化調査・信頼性評価
半導体中キャリアの直流電圧依存性評価 2020/10/01 半導体中キャリアの直流電圧依存性評価(C0628) [SMM]走査型マイクロ波顕微鏡法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
照明
酸化物半導体
形状評価
製品調査
STEM・EDXデータと像シミュレーションの組み合わせによる結晶構造評価 2020/05/06 STEM・EDXデータと像シミュレーションの組み合わせによる結晶構造評価(C0558) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)
計算科学・AI・データ解析
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
二次電池
酸化物半導体
構造評価
SCMによるイメージセンサの拡散層形状評価 2020/05/06 SCMによるイメージセンサの拡散層形状評価(C0534) [SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
光デバイス
形状評価
製品調査
STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した多結晶体の結晶構造解析 2019/03/14 STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した多結晶体の結晶構造解析(C0557) [EBSD]電子後方散乱回折法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
計算科学・AI・データ解析
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
二次電池
酸化物半導体
構造評価
CMOSセンサの総合評価 2018/11/29 CMOSセンサの総合評価(C0537) [SEM]走査電子顕微鏡法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)
光デバイス
電子部品
組成評価・同定
形状評価
構造評価
表面酸化膜のある異物の状態評価 2016/04/14 表面酸化膜のある異物の状態評価(C0420) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
光デバイス
電子部品
製造装置・部品
組成評価・同定
化学結合状態評価
組成分布評価
ABF-STEM観察によるGaNの極性評価 2016/02/18 ABF-STEM観察によるGaNの極性評価(C0409) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
パワーデバイス
光デバイス
形状評価
膜厚評価
構造評価
近赤外VCSELのSMMによるキャリア分布評価 2015/12/17 近赤外VCSELのSMMによるキャリア分布評価(C0402) [SMM]走査型マイクロ波顕微鏡法
光デバイス
組成分布評価
形状評価
ウエットエッチングによる有機付着物除去 2015/05/28 ウエットエッチングによる有機付着物除去(C0383) [XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
製造装置・部品
酸化物半導体
組成評価・同定
化学結合状態評価
GaN膜の組成・結合状態分析 2015/05/21 GaN膜の組成・結合状態分析(C0381) [XPS]X線光電子分光法
パワーデバイス
光デバイス
照明
ディスプレイ
酸化物半導体
組成評価・同定
化学結合状態評価
低温フォトルミネッセンス測定の注意事項 2015/05/14 低温フォトルミネッセンス測定の注意事項(B0208) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
照明
ディスプレイ
構造評価
GaN系デバイスの発光・発熱解析 2013/09/12 GaN系デバイスの発光・発熱解析(C0309) [EMS]エミッション顕微鏡法
ロックイン発熱解析法
光デバイス
故障解析・不良解析
製品調査
SIMSによる化合物半導体の組成分析 2013/02/28 SIMSによる化合物半導体の組成分析(C0288) [SIMS]二次イオン質量分析法
光デバイス
照明
組成評価・同定
SIMSによるGaN系LED構造の組成分析 2013/02/07 SIMSによるGaN系LED構造の組成分析(C0289) [SIMS]二次イオン質量分析法
パワーデバイス
光デバイス
照明
組成評価・同定
GaN系LED構造中MgのSSDP-SIMS分析 2013/02/07 GaN系LED構造中MgのSSDP-SIMS分析(C0293) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SSDP用加工]基板側からの測定用加工
その他
パワーデバイス
光デバイス
照明
微量濃度評価
製品調査
化合物積層構造試料のSIMS分析 2012/12/27 化合物積層構造試料のSIMS分析(C0269) [SIMS]二次イオン質量分析法
その他
パワーデバイス
光デバイス
照明
ディスプレイ
微量濃度評価
SIMSによるGaN系LED構造中不純物の深さ方向濃度分析 2012/12/06 SIMSによるGaN系LED構造中不純物の深さ方向濃度分析(C0251) [SIMS]二次イオン質量分析法
その他
パワーデバイス
光デバイス
照明
微量濃度評価
製品調査
SSDP-SIMSによるSi基板へのGa,Alの拡散評価 2012/11/29 SSDP-SIMSによるSi基板へのGa,Alの拡散評価(C0267) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SSDP用加工]基板側からの測定用加工
パワーデバイス
光デバイス
照明
微量濃度評価
Si自然酸化膜の膜厚評価 2012/11/22 Si自然酸化膜の膜厚評価(C0279) [XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
製造装置・部品
酸化物半導体
組成評価・同定
化学結合状態評価
組成分布評価
膜厚評価
白色LEDのフォトルミネッセンス分析 2012/09/13 白色LEDのフォトルミネッセンス分析(C0253) [PL]フォトルミネッセンス法
[IP法]Arイオン研磨加工
その他
光デバイス
照明
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
その他
成膜成分のウエハ裏面への回り込み評価 2012/06/28 成膜成分のウエハ裏面への回り込み評価(C0230) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
組成評価・同定
組成分布評価
その他
ポリイミド成分の深さ方向分析 2012/06/07 ポリイミド成分の深さ方向分析(C0242) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
光デバイス
電子部品
照明
ディスプレイ
日用品
化学結合状態評価
組成分布評価
劣化調査・信頼性評価
SIMSによるUVセンサAlGaN中不純物濃度の高精度評価 2012/04/26 SIMSによるUVセンサAlGaN中不純物濃度の高精度評価(C0232) [SIMS]二次イオン質量分析法
その他
光デバイス
照明
微量濃度評価
組成分布評価
製品調査
熱履歴を考慮した異物の成分同定 2011/08/18 熱履歴を考慮した異物の成分同定(C0200) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
[FT-IR]フーリエ変換赤外分光法
[DSC]示差走査熱量測定
その他
LSI・メモリ
光デバイス
製造装置・部品
化学結合状態評価

分析のご相談・お申し込み

知識豊富な営業担当が、最適な分析プランをご提案。
分析費用のお見積りもお気軽にお問い合わせください。
相談・お申し込みは、専用のフォームかお電話でどうぞ。

webからのお問い合わせはこちら

分析お問い合わせフォーム

お電話からのお問い合わせはこちら

ページトップへ