分析事例

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分析事例一覧

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
貼り合わせウエハ内部の空隙調査 2018/12/13 貼り合わせウエハ内部の空隙調査(C0536) [C-SAM]超音波顕微鏡法
LSI・メモリ
パワーデバイス
酸化物半導体
形状評価
故障解析・不良解析
製品調査
AFMデータ集 2018/10/25 AFMデータ集(B0247) [AFM]原子間力顕微鏡法
LSI・メモリ
酸化物半導体
医薬品
日用品
形状評価
セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価 2018/09/13 セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価(C0532) [XAFS]X線吸収微細構造
LSI・メモリ
照明
酸化物半導体
化学結合状態評価
ラマンマッピングによる応力評価 2018/09/13 ラマンマッピングによる応力評価(C0522) [Raman]ラマン分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
組成分布評価
構造評価
応力・歪み評価
クリーンルーム内有機化合物の評価方法 2018/08/23 クリーンルーム内有機化合物の評価方法(B0245) [GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
ディスプレイ
酸化物半導体
微量濃度評価
TDSによる温度保持中の脱ガス評価 2018/08/23 TDSによる温度保持中の脱ガス評価(C0530) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
製造装置・部品
微量濃度評価
その他
界面および深さ方向分解能について 2018/07/05 界面および深さ方向分解能について(B0243) [SIMS]二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
ディスプレイ
酸化物半導体
微量濃度評価
X線吸収・発光分光によるバンド構造評価 2018/03/22 X線吸収・発光分光によるバンド構造評価(C0514) [XAFS]X線吸収微細構造
その他
LSI・メモリ
照明
酸化物半導体
その他
軟X線発光分光によるGaNの評価 2018/02/22 軟X線発光分光によるGaNの評価(C0511) [XAFS]X線吸収微細構造
その他
LSI・メモリ
照明
酸化物半導体
その他
XPSにおける吸着酸素の影響 2018/02/01 XPSにおける吸着酸素の影響(B0240) [XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
粘着シートによる電子部品の汚染評価 2018/01/18 粘着シートによる電子部品の汚染評価(C0501) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
[GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
微量濃度評価
組成分布評価
故障解析・不良解析
TDSによる腐食性ガス分析 2017/12/28 TDSによる腐食性ガス分析(C0500) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
電子部品
製造装置・部品
微量濃度評価
故障解析・不良解析
その他
AESによるボンディング界面の元素分析 2017/09/14 AESによるボンディング界面の元素分析(C0486) [AES]オージェ電子分光法
LSI・メモリ
電子部品
組成評価・同定
故障解析・不良解析
Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析 2017/09/14 Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析(C0485) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
水素終端ウエハの脱ガス分析 2017/08/31 水素終端ウエハの脱ガス分析(C0483) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
微量濃度評価
その他
低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価 2017/08/31 低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価(C0481) [SIMS]二次イオン質量分析法
[PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
微量濃度評価
構造評価
故障解析・不良解析
酸化アルミニウム薄膜の局所構造解析 2017/08/10 酸化アルミニウム薄膜の局所構造解析(C0478) [XAFS]X線吸収微細構造
LSI・メモリ
製造装置・部品
化学結合状態評価
構造評価
めっき試料の脱ガス評価 2017/03/30 めっき試料の脱ガス評価(C0464) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
組成評価・同定
微量濃度評価
代表的な材料・目的別のTDS解析例 2017/03/30 代表的な材料・目的別のTDS解析例(B0232) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
ディスプレイ
製造装置・部品
酸化物半導体
微量濃度評価
その他
ウエハケース内ウエハの有機汚染評価 2017/03/16 ウエハケース内ウエハの有機汚染評価(C0461) [GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
微量濃度評価
TOF-SIMSによる微小ビアのイメージ分析 2017/01/12 TOF-SIMSによる微小ビアのイメージ分析(C0454) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
電子部品
組成分布評価
故障解析・不良解析
TDSによる脱離成分の推定 2016/12/08 TDSによる脱離成分の推定(C0453) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
組成評価・同定
AESによるCu表面変色部の評価 2016/12/01 AESによるCu表面変色部の評価(C0451) [AES]オージェ電子分光法
[SEM]走査電子顕微鏡法
[SEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(SEM)
LSI・メモリ
電子部品
製造装置・部品
組成評価・同定
組成分布評価
TOF-SIMSによる微小領域の定性・イメージ分析 2016/11/24 TOF-SIMSによる微小領域の定性・イメージ分析(C0449) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
電子部品
組成評価・同定
組成分布評価
はんだ剥離部断面のTOF-SIMS分析 2016/11/17 はんだ剥離部断面のTOF-SIMS分析(C0450) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
電子部品
故障解析・不良解析
HfZrOx膜の結晶構造同定・含有割合の算出 2016/11/10 HfZrOx膜の結晶構造同定・含有割合の算出(C0447) [XAFS]X線吸収微細構造
[XRD]X線回折法
LSI・メモリ
構造評価
室内雰囲気中の腐食成分分析 2016/08/18 室内雰囲気中の腐食成分分析(C0436) [IC]イオンクロマトグラフ法
LSI・メモリ
電子部品
製造装置・部品
環境
微量濃度評価
その他
イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温フォトルミネッセンススペクトル 2016/07/28 イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温フォトルミネッセンススペクトル(C0434) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
構造評価
故障解析・不良解析
表面酸化膜のある異物の状態評価 2016/04/14 表面酸化膜のある異物の状態評価(C0420) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
光デバイス
電子部品
製造装置・部品
組成評価・同定
化学結合状態評価
組成分布評価
SiGe中不純物の高精度定量評価 2016/04/07 SiGe中不純物の高精度定量評価(B0226) [SIMS]二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
組成評価・同定
微量濃度評価

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