分析事例

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分析事例一覧

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
Xe-PFIBを用いた広域断面のSEM観察 2020/07/16 Xe-PFIBを用いた広域断面のSEM観察(C0610) [SEM]走査電子顕微鏡法
X線CT法
[FIB]集束イオンビーム加工
LSI・メモリ
形状評価
構造評価
製品調査
Xe-プラズマFIBによる構造解析 2020/07/16 Xe-プラズマFIBによる構造解析(B0255) [SEM]走査電子顕微鏡法
[Slice&View]三次元SEM観察法
[EBSD]電子後方散乱回折法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
X線CT法
[FIB]集束イオンビーム加工
その他
LSI・メモリ
形状評価
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
第一原理計算から分かること 2020/06/25 第一原理計算から分かること(B0256) 計算科学・データ解析
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
化学結合状態評価
構造評価
単結晶Si表面のダメージ評価 2020/06/04 単結晶Si表面のダメージ評価(C0549) [XPS]X線光電子分光法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
LSI・メモリ
電子部品
組成評価・同定
化学結合状態評価
膜厚評価
構造評価
TDSによるα-アルミナ(α-Al2O3)の分析 2020/05/06 TDSによるα-アルミナ(α-Al2O3)の分析(C0578) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
製造装置・部品
微量濃度評価
その他
STEM・EDXデータと像シミュレーションの組み合わせによる結晶構造評価 2020/05/06 STEM・EDXデータと像シミュレーションの組み合わせによる結晶構造評価(C0558) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)
計算科学・データ解析
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
二次電池
酸化物半導体
構造評価
C-SAMによる貼り合わせウエハ内部の空隙調査 2020/05/06 C-SAMによる貼り合わせウエハ内部の空隙調査(C0536) [C-SAM]超音波顕微鏡法
LSI・メモリ
パワーデバイス
酸化物半導体
形状評価
故障解析・不良解析
製品調査
ラマンマッピングによる応力評価 2020/05/06 ラマンマッピングによる応力評価(C0522) [Raman]ラマン分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
組成分布評価
構造評価
応力・歪み評価
低温顕微PL分析によるSi系IGBTチップ断面の評価 2020/05/06 低温顕微PL分析によるSi系IGBTチップ断面の評価(C0485) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価 2020/05/06 低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価(C0481) [SIMS]二次イオン質量分析法
[PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
微量濃度評価
構造評価
故障解析・不良解析
AES・SEM-EDXによるCu表面変色部の評価 2020/05/06 AES・SEM-EDXによるCu表面変色部の評価(C0451) [AES]オージェ電子分光法
[SEM]走査電子顕微鏡法
[SEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(SEM)
LSI・メモリ
電子部品
製造装置・部品
組成評価・同定
組成分布評価
ウォーターマークの無機・有機同時評価 2020/05/06 ウォーターマークの無機・有機同時評価(C0034) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
電子部品
組成評価・同定
SSDP-SIMSによるゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価 2020/05/06 SSDP-SIMSによるゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価(C0028) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SSDP用加工]基板側からの測定用加工
LSI・メモリ
組成評価・同定
微量濃度評価
組成分布評価
XPSによるCu表面の酸化状態の定量 2020/05/06 XPSによるCu表面の酸化状態の定量(C0047) [XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
電子部品
組成評価・同定
化学結合状態評価
TOF-SIMSによるAl表面のOHの分布及び状態評価 2020/05/06 TOF-SIMSによるAl表面のOHの分布及び状態評価(C0262) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
化学結合状態評価
組成分布評価
膜厚評価
高温XRDによる金属膜の評価 2020/05/06 高温XRDによる金属膜の評価(C0270) [XRD]X線回折法
LSI・メモリ
太陽電池
酸化物半導体
構造評価
TOF-SIMSによるSiウエハの保管状態による表面汚染評価 2020/05/06 TOF-SIMSによるSiウエハの保管状態による表面汚染評価(C0120) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
電子部品
組成評価・同定
半導体基板中軽元素の高感度分析 2020/05/06 半導体基板中軽元素の高感度分析(C0117) [SIMS]二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
微量濃度評価
組成分布評価
XPS・AESによる深さ方向分析の比較 2020/05/06 XPS・AESによる深さ方向分析の比較(B0211) [AES]オージェ電子分光法
[XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
電子部品
組成評価・同定
TOF-SIMSによるニッケルめっき剥離面の評価 2020/05/06 TOF-SIMSによるニッケルめっき剥離面の評価(C0404) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
その他
LSI・メモリ
化学結合状態評価
組成分布評価
故障解析・不良解析
MRAMのトンネル磁気抵抗効果を示すFe/MgO/Fe接合系の理論計算 2020/04/30 MRAMのトンネル磁気抵抗効果を示すFe/MgO/Fe接合系の理論計算(C0583) 計算科学・データ解析
LSI・メモリ
構造評価
その他
Cu表面の結晶粒観察 2020/04/30 Cu表面の結晶粒観察(C0545) [SIM]走査イオン顕微鏡法
LSI・メモリ
構造評価
DRAMチップのTEM・SEMによる構造解析 2020/04/30 DRAMチップのTEM・SEMによる構造解析(C0542) [SEM]走査電子顕微鏡法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
LSI・メモリ
形状評価
構造評価
製品調査
分子動力学シミュレーションによるアモルファスSiNx膜の構造解析 2020/04/30 分子動力学シミュレーションによるアモルファスSiNx膜の構造解析(C0559) 計算科学・データ解析
LSI・メモリ
構造評価
ARXPS(角度分解XPS)による極薄膜の組成分布評価 2020/04/30 ARXPS(角度分解XPS)による極薄膜の組成分布評価(C0550) [XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
構造評価
GC/MS・TOF-SIMSによる粘着シートの電子部品汚染評価 2020/04/30 GC/MS・TOF-SIMSによる粘着シートの電子部品汚染評価(C0501) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
[GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
微量濃度評価
組成分布評価
故障解析・不良解析
TEM・SEMによる有機EL(OLED)・ゲート酸化膜の断面観察 2020/04/30 TEM・SEMによる有機EL(OLED)・ゲート酸化膜の断面観察(C0090) [SEM]走査電子顕微鏡法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
LSI・メモリ
太陽電池
照明
ディスプレイ
形状評価
膜厚評価
シリコン結晶中の不純物拡散シミュレーション 2020/01/23 シリコン結晶中の不純物拡散シミュレーション(C0581) 計算科学・データ解析
LSI・メモリ
構造評価
低分子シロキサンの定量分析 2019/10/03 低分子シロキサンの定量分析(C0576) [GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
微量濃度評価
SEMとSIMによるCu表面の二次電子像の比較 2019/04/11 SEMとSIMによるCu表面の二次電子像の比較(C0543) [SEM]走査電子顕微鏡法
[SIM]走査イオン顕微鏡法
LSI・メモリ
構造評価

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