分析事例

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分析事例一覧

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察 2019/04/11 走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察(C0545) [SIM]走査イオン顕微鏡法
LSI・メモリ
構造評価
SEMとSIMによるCu表面の二次電子像の比較 2019/04/11 SEMとSIMによるCu表面の二次電子像の比較(C0543) [SEM]走査電子顕微鏡法
[SIM]走査イオン顕微鏡法
LSI・メモリ
構造評価
DRAMチップの解析 2019/04/04 DRAMチップの解析(C0542) [SEM]走査電子顕微鏡法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
LSI・メモリ
形状評価
構造評価
製品調査
分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜の構造解析 2019/03/28 分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜の構造解析(C0559) 計算科学・データ解析
LSI・メモリ
構造評価
STEM・EDXデータと像シミュレーションの組み合わせによる結晶構造評価 2019/03/14 STEM・EDXデータと像シミュレーションの組み合わせによる結晶構造評価(C0558) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)
計算科学・データ解析
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
二次電池
酸化物半導体
構造評価
STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した多結晶体の結晶構造解析 2019/03/14 STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した多結晶体の結晶構造解析(C0557) [EBSD]電子後方散乱回折法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
計算科学・データ解析
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
二次電池
酸化物半導体
構造評価
XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価 2019/02/14 XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価(C0549) [XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
電子部品
組成評価・同定
化学結合状態評価
構造評価
角度分解XPS(ARXPS)による極薄膜の組成分布評価 2019/02/07 角度分解XPS(ARXPS)による極薄膜の組成分布評価(C0550) [XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
構造評価
貼り合わせウエハ内部の空隙調査 2018/12/13 貼り合わせウエハ内部の空隙調査(C0536) [C-SAM]超音波顕微鏡法
LSI・メモリ
パワーデバイス
酸化物半導体
形状評価
故障解析・不良解析
製品調査
AFMデータ集 2018/10/25 AFMデータ集(B0247) [AFM]原子間力顕微鏡法
LSI・メモリ
酸化物半導体
医薬品
日用品
形状評価
セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価 2018/09/13 セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価(C0532) [XAFS]X線吸収微細構造
LSI・メモリ
照明
酸化物半導体
化学結合状態評価
ラマンマッピングによる応力評価 2018/09/13 ラマンマッピングによる応力評価(C0522) [Raman]ラマン分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
組成分布評価
構造評価
応力・歪み評価
クリーンルーム内有機化合物の評価方法 2018/08/23 クリーンルーム内有機化合物の評価方法(B0245) [GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
ディスプレイ
酸化物半導体
微量濃度評価
TDSによる温度保持中の脱ガス評価 2018/08/23 TDSによる温度保持中の脱ガス評価(C0530) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
製造装置・部品
微量濃度評価
その他
界面および深さ方向分解能について 2018/07/05 界面および深さ方向分解能について(B0243) [SIMS]二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
ディスプレイ
酸化物半導体
微量濃度評価
X線吸収・発光分光によるバンド構造評価 2018/03/22 X線吸収・発光分光によるバンド構造評価(C0514) [XAFS]X線吸収微細構造
その他
LSI・メモリ
照明
酸化物半導体
その他
軟X線発光分光によるGaNの評価 2018/02/22 軟X線発光分光によるGaNの評価(C0511) [XAFS]X線吸収微細構造
その他
LSI・メモリ
照明
酸化物半導体
その他
XPSにおける吸着酸素の影響 2018/02/01 XPSにおける吸着酸素の影響(B0240) [XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
粘着シートによる電子部品の汚染評価 2018/01/18 粘着シートによる電子部品の汚染評価(C0501) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
[GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
微量濃度評価
組成分布評価
故障解析・不良解析
TDSによる腐食性ガス分析 2017/12/28 TDSによる腐食性ガス分析(C0500) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
電子部品
製造装置・部品
微量濃度評価
故障解析・不良解析
その他
AESによるボンディング界面の元素分析 2017/09/14 AESによるボンディング界面の元素分析(C0486) [AES]オージェ電子分光法
LSI・メモリ
電子部品
組成評価・同定
故障解析・不良解析
Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析 2017/09/14 Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析(C0485) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
水素終端ウエハの脱ガス分析 2017/08/31 水素終端ウエハの脱ガス分析(C0483) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
微量濃度評価
その他
低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価 2017/08/31 低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価(C0481) [SIMS]二次イオン質量分析法
[PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
微量濃度評価
構造評価
故障解析・不良解析
酸化アルミニウム薄膜の局所構造解析 2017/08/10 酸化アルミニウム薄膜の局所構造解析(C0478) [XAFS]X線吸収微細構造
LSI・メモリ
製造装置・部品
化学結合状態評価
構造評価
めっき試料の脱ガス評価 2017/03/30 めっき試料の脱ガス評価(C0464) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
組成評価・同定
微量濃度評価
代表的な材料・目的別のTDS解析例 2017/03/30 代表的な材料・目的別のTDS解析例(B0232) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
ディスプレイ
製造装置・部品
酸化物半導体
微量濃度評価
その他
ウエハケース内ウエハの有機汚染評価 2017/03/16 ウエハケース内ウエハの有機汚染評価(C0461) [GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
微量濃度評価
TOF-SIMSによる微小ビアのイメージ分析 2017/01/12 TOF-SIMSによる微小ビアのイメージ分析(C0454) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
電子部品
組成分布評価
故障解析・不良解析
TDSによる脱離成分の推定 2016/12/08 TDSによる脱離成分の推定(C0453) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
組成評価・同定

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