ラマンマッピングによる応力評価(C0522)

試料断面における応力分布を確認することが可能です

MST技術資料No.C0522
掲載日2020/05/06
測定法・加工法[Raman]ラマン分光法
製品分野LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
分析目的組成分布評価
構造評価
応力・歪み評価

概要

単結晶Siのラマンスペクトルのピークは、試料に圧縮応力が働いている場合は高波数シフト、引張応力が働いている場合は低波数シフトします。これにより、Siの応力に関する知見を得ることができます。
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の断面について、ラマンマッピングで応力の分布を確認した例を示します。

データ

光学顕微鏡写真

ラマンスペクトル例(単結晶Si)

ラマンマッピング結果(ピークシフト)

IGBTの断面で、単結晶Si の応力に分布がある様子が確認されました。
※ビーム径約1μm

ポイント

  • 試料面内における応力の分布を確認可能
  • 試料断面での評価が可能

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