ラマンマッピングによる応力評価(C0522)
試料断面における応力分布を確認することが可能です
概要
単結晶Siのラマンスペクトルのピークは、試料に圧縮応力が働いている場合は高波数シフト、引張応力が働いている場合は低波数シフトします。これにより、Siの応力に関する知見を得ることができます。
IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の断面について、ラマンマッピングで応力の分布を確認した例を示します。
データ
光学顕微鏡写真
ラマンスペクトル例（単結晶Si）
ラマンマッピング結果（ピークシフト）
IGBTの断面で、単結晶Si の応力に分布がある様子が確認されました。
※ビーム径約1μｍ
ポイント
- 試料面内における応力の分布を確認可能
- 試料断面での評価が可能
| MST技術資料No. | C0522 |
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| 掲載日 | 2020/05/06 |
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| 測定法・加工法 | ［Raman］ラマン分光法
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| 製品分野 | LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
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| 分析目的 | 組成分布評価
構造評価
応力・歪み評価
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