分析事例

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分析事例一覧

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
低分子シロキサンの定量分析 2019/10/03 低分子シロキサンの定量分析(C0576) [GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
微量濃度評価
ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在サイト同定・電子状態評価 2019/04/04 ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在サイト同定・電子状態評価(C0560) 計算科学・データ解析
パワーデバイス
酸化物半導体
化学結合状態評価
構造評価
その他
SiC Trench MOSFETのSNDMおよびSMMによる拡散層評価 2019/03/21 SiC Trench MOSFETのSNDMおよびSMMによる拡散層評価(C0556) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
[SMM]走査型マイクロ波顕微鏡法
パワーデバイス
形状評価
構造評価
劣化調査・信頼性評価
製品調査
STEM・EDXデータと像シミュレーションの組み合わせによる結晶構造評価 2019/03/14 STEM・EDXデータと像シミュレーションの組み合わせによる結晶構造評価(C0558) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)
計算科学・データ解析
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
二次電池
酸化物半導体
構造評価
STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した多結晶体の結晶構造解析 2019/03/14 STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した多結晶体の結晶構造解析(C0557) [EBSD]電子後方散乱回折法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
計算科学・データ解析
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
二次電池
酸化物半導体
構造評価
SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さ評価 2019/02/28 SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さ評価(C0555) [SEM]走査電子顕微鏡法
[AFM]原子間力顕微鏡法
パワーデバイス
形状評価
構造評価
劣化調査・信頼性評価
製品調査
SiC Trench MOSFETディスクリートパッケージの非破壊3D構造観察 2019/02/28 SiC Trench MOSFETディスクリートパッケージの非破壊3D構造観察(C0554) X線CT法
パワーデバイス
形状評価
構造評価
劣化調査・信頼性評価
製品調査
SiC Planer Power MOSのSNDM分析 2019/02/14 SiC Planer Power MOSのSNDM分析(C0551) [SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
パワーデバイス
形状評価
製品調査
貼り合わせウエハ内部の空隙調査 2018/12/13 貼り合わせウエハ内部の空隙調査(C0536) [C-SAM]超音波顕微鏡法
LSI・メモリ
パワーデバイス
酸化物半導体
形状評価
故障解析・不良解析
製品調査
ラマンマッピングによる応力評価 2018/09/13 ラマンマッピングによる応力評価(C0522) [Raman]ラマン分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
組成分布評価
構造評価
応力・歪み評価
クリーンルーム内有機化合物の評価方法 2018/08/23 クリーンルーム内有機化合物の評価方法(B0245) [GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
ディスプレイ
酸化物半導体
微量濃度評価
TDSによる温度保持中の脱ガス評価 2018/08/23 TDSによる温度保持中の脱ガス評価(C0530) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
製造装置・部品
微量濃度評価
その他
界面および深さ方向分解能について 2018/07/05 界面および深さ方向分解能について(B0243) [SIMS]二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
ディスプレイ
酸化物半導体
微量濃度評価
XPSにおける吸着酸素の影響 2018/02/01 XPSにおける吸着酸素の影響(B0240) [XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
粘着シートによる電子部品の汚染評価 2018/01/18 粘着シートによる電子部品の汚染評価(C0501) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
[GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
微量濃度評価
組成分布評価
故障解析・不良解析
PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価 2017/11/15 PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価(C0494) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[PL]フォトルミネッセンス法
[FIB]集束イオンビーム加工
その他
パワーデバイス
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析 2017/09/14 Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析(C0485) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価 2017/08/31 低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価(C0481) [SIMS]二次イオン質量分析法
[PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
微量濃度評価
構造評価
故障解析・不良解析
XRFによるウエハ上Au薄膜の面内膜厚評価 2017/08/24 XRFによるウエハ上Au薄膜の面内膜厚評価(C0480) [XRF]蛍光X線分析法
パワーデバイス
照明
製造装置・部品
組成評価・同定
組成分布評価
XRFによるウエハ上Au薄膜の付着量評価 2017/08/24 XRFによるウエハ上Au薄膜の付着量評価(C0479) [XRF]蛍光X線分析法
パワーデバイス
照明
製造装置・部品
組成評価・同定
組成分布評価
XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価 2017/06/29 XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価(C0472) [XAFS]X線吸収微細構造
パワーデバイス
照明
化学結合状態評価
構造評価
代表的な材料・目的別のTDS解析例 2017/03/30 代表的な材料・目的別のTDS解析例(B0232) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
ディスプレイ
製造装置・部品
酸化物半導体
微量濃度評価
その他
酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価 2017/03/16 酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価(C0462) [XPS]X線光電子分光法
[XAFS]X線吸収微細構造
パワーデバイス
太陽電池
照明
酸化物半導体
その他
ウエハケース内ウエハの有機汚染評価 2017/03/16 ウエハケース内ウエハの有機汚染評価(C0461) [GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
微量濃度評価
Si-IGBTチップのキャリア濃度分布評価 2016/12/01 Si-IGBTチップのキャリア濃度分布評価(C0443) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SRA]広がり抵抗測定法
パワーデバイス
電子部品
微量濃度評価
製品調査
XAFSによるシリコン酸化膜評価 2016/10/06 XAFSによるシリコン酸化膜評価(C0439) [XAFS]X線吸収微細構造
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
二次電池
ディスプレイ
酸化物半導体
化学結合状態評価
構造評価
酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価 2016/09/29 酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価(C0440) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
パワーデバイス
酸化物半導体
微量濃度評価
イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温フォトルミネッセンススペクトル 2016/07/28 イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温フォトルミネッセンススペクトル(C0434) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
構造評価
故障解析・不良解析
SiC中不純物の超高感度測定 2016/04/14 SiC中不純物の超高感度測定(C0421) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SSDP用加工]基板側からの測定用加工
パワーデバイス
微量濃度評価
酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価 2016/04/07 酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価(C0416) [SIMS]二次イオン質量分析法
パワーデバイス
微量濃度評価

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