分析事例

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分析事例一覧

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析 2024/05/23 SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析(C0711) [SEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(SEM)
[Slice&View]三次元SEM観察法
[EMS]エミッション顕微鏡法
[FIB]集束イオンビーム加工
パワーデバイス
故障解析・不良解析
製品調査
SiCパワートランジスタリーク箇所の Slice&view(3D-SEM)による故障解析 2024/05/23 SiCパワートランジスタリーク箇所の Slice&view(3D-SEM)による故障解析(C0710) [Slice&View]三次元SEM観察法
[EMS]エミッション顕微鏡法
パワーデバイス
故障解析・不良解析
製品調査
GaN基板の表面形状分析 2024/04/25 GaN基板の表面形状分析(C0708) [AFM]原子間力顕微鏡法
パワーデバイス
電子部品
照明
形状評価
トレンチ型Si-MOSFETの IDSSリーク箇所の複合解析 2024/04/04 トレンチ型Si-MOSFETの IDSSリーク箇所の複合解析(C0707) [SEM]走査電子顕微鏡法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
[EMS]エミッション顕微鏡法
パワーデバイス
故障解析・不良解析
ノーマリーオフ型GaN HEMT二次元電子ガス層評価 2023/11/30 ノーマリーオフ型GaN HEMT二次元電子ガス層評価(C0702) [SIMS]二次イオン質量分析法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
[SMM]走査型マイクロ波顕微鏡法
パワーデバイス
微量濃度評価
形状評価
構造評価
製品調査
半導体パッケージのはんだ濡れ性試験 2023/10/19 半導体パッケージのはんだ濡れ性試験(C0699) 恒温恒湿試験
はんだ濡れ性試験
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
劣化調査・信頼性評価
SiC基板表面および内部の不純物濃度測定 2023/10/05 SiC基板表面および内部の不純物濃度測定(C0698) [ICP-MS]誘導結合プラズマ質量分析法
[GDMS]グロー放電質量分析法
パワーデバイス
製造装置・部品
微量濃度評価
発光寿命測定による キャリアライフタイム評価 2023/08/24 発光寿命測定による キャリアライフタイム評価(C0696) 蛍光寿命測定
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
故障解析・不良解析
製品調査
その他
深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析 2023/03/23 深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析(C0692) [SIMS]二次イオン質量分析法
パワーデバイス
光デバイス
照明
ディスプレイ
微量濃度評価
製品調査
不純物評価・分布評価
撥水箇所の成分分析 2023/02/02 撥水箇所の成分分析(C0686) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
電子部品
照明
ディスプレイ
製造装置・部品
酸化物半導体
高分子材料
日用品
組成分布評価
不純物評価・分布評価
第一原理計算によるワイドギャップ半導体 窒化ガリウム(GaN)における欠陥準位の解析 2022/12/08 第一原理計算によるワイドギャップ半導体 窒化ガリウム(GaN)における欠陥準位の解析(C0680) [PL]フォトルミネッセンス法
計算科学・AI・データ解析
パワーデバイス
太陽電池
酸化物半導体
その他
剥離原因となる金属界面の有機物評価 2022/11/10 剥離原因となる金属界面の有機物評価(B0285) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
電子部品
製造装置・部品
酸化物半導体
故障解析・不良解析
不純物評価・分布評価
リートベルト解析(Rietveld analysis)とは 2022/01/20 リートベルト解析(Rietveld analysis)とは(B0277) [XRD]X線回折法
計算科学・AI・データ解析
パワーデバイス
二次電池
酸化物半導体
医薬品
化粧品
化学結合状態評価
構造評価
応力・歪み評価
HAXPESによるオージェピークの重複を回避した評価 2021/11/25 HAXPESによるオージェピークの重複を回避した評価(B0273) [XPS]X線光電子分光法
[HAXPES]硬X線光電子分光法
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
二次電池
燃料電池
製造装置・部品
組成評価・同定
化学結合状態評価
デバイスの金属膜中および界面における金属不純物の評価 2020/12/10 デバイスの金属膜中および界面における金属不純物の評価(C0638) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
電子部品
製造装置・部品
酸化物半導体
故障解析・不良解析
製品調査
信頼性試験の一覧 2020/10/08 信頼性試験の一覧(B0263) その他
耐候性試験
恒温恒湿試験
TCC試験
熱衝撃試験
振動試験
衝撃試験
接合強度試験
はんだ耐熱性試験
はんだ濡れ性試験
気密性試験
PIND試験
ESD試験
パワーデバイス
光デバイス
電子部品
太陽電池
照明
ディスプレイ
製造装置・部品
故障解析・不良解析
劣化調査・信頼性評価
半導体中キャリアの直流電圧依存性評価 2020/10/01 半導体中キャリアの直流電圧依存性評価(C0628) [SMM]走査型マイクロ波顕微鏡法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
照明
酸化物半導体
形状評価
製品調査
第一原理計算から分かること 2020/06/25 第一原理計算から分かること(B0256) 計算科学・AI・データ解析
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
化学結合状態評価
構造評価
STEM・EDXデータと像シミュレーションの組み合わせによる結晶構造評価 2020/05/06 STEM・EDXデータと像シミュレーションの組み合わせによる結晶構造評価(C0558) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)
計算科学・AI・データ解析
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
二次電池
酸化物半導体
構造評価
SNDMによるSiC Planer Power MOSの高感度評価 2020/05/06 SNDMによるSiC Planer Power MOSの高感度評価(C0551) [SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
パワーデバイス
形状評価
製品調査
C-SAMによる貼り合わせウエハ内部の空隙調査 2020/05/06 C-SAMによる貼り合わせウエハ内部の空隙調査(C0536) [C-SAM]超音波顕微鏡法
LSI・メモリ
パワーデバイス
酸化物半導体
形状評価
故障解析・不良解析
製品調査
ラマンマッピングによる応力評価 2020/05/06 ラマンマッピングによる応力評価(C0522) [Raman]ラマン分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
組成分布評価
構造評価
応力・歪み評価
低温顕微PL分析によるSi系IGBTチップ断面の評価 2020/05/06 低温顕微PL分析によるSi系IGBTチップ断面の評価(C0485) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価 2020/05/06 低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価(C0481) [SIMS]二次イオン質量分析法
[PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
微量濃度評価
構造評価
故障解析・不良解析
SCMおよびSMMによるSiC Planer Power MOSFETの拡散層評価 2020/05/06 SCMおよびSMMによるSiC Planer Power MOSFETの拡散層評価(C0401) [SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
[SMM]走査型マイクロ波顕微鏡法
その他
パワーデバイス
組成分布評価
形状評価
SIMS・SCM・TEMによるSiCパワーMOSFETの活性層評価 2020/05/06 SIMS・SCM・TEMによるSiCパワーMOSFETの活性層評価(C0291) [SIMS]二次イオン質量分析法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
パワーデバイス
微量濃度評価
形状評価
製品調査
SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価 2020/04/30 SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価(C0556) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
[SMM]走査型マイクロ波顕微鏡法
パワーデバイス
形状評価
構造評価
劣化調査・信頼性評価
製品調査
SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さ評価 2020/04/30 SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さ評価(C0555) [SEM]走査電子顕微鏡法
[AFM]原子間力顕微鏡法
パワーデバイス
形状評価
構造評価
劣化調査・信頼性評価
製品調査
X線CT観察によるSiC Trench MOSFETディスクリートパッケージの評価 2020/04/30 X線CT観察によるSiC Trench MOSFETディスクリートパッケージの評価(C0554) X線CT法
パワーデバイス
形状評価
構造評価
劣化調査・信頼性評価
製品調査
GC/MS・TOF-SIMSによる粘着シートの電子部品汚染評価 2020/04/30 GC/MS・TOF-SIMSによる粘着シートの電子部品汚染評価(C0501) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
[GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
微量濃度評価
組成分布評価
故障解析・不良解析

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