GaN基板の表面形状分析(C0708)

AFMによるステップ-テラス構造の可視化

概要

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる応力の影響で、表面にステップ-テラス構造が形成されます。本資料ではAFMを用いて、GaN基板表面のステップ-テラスの構造を可視化し、テラス幅、ステップ高さ、表面粗さ、オフ角を評価した事例を紹介します。

データ

AFMによるステップ-テラス構造の評価

GaN基板のAFM像(ステップ-テラス構造の可視化)、ステップ-テラス構造のラインプロファイル解析(テラス幅、ステップ高さの測長)

MST技術資料No.C0708
掲載日2024/04/25
測定法・加工法[AFM]原子間力顕微鏡法
製品分野パワーデバイス
電子部品
照明
分析目的形状評価

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