GaN基板の表面形状分析(C0708)
AFMによるステップ-テラス構造の可視化
概要
ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる応力の影響で、表面にステップ-テラス構造が形成されます。本資料ではAFMを用いて、GaN基板表面のステップ-テラスの構造を可視化し、テラス幅、ステップ高さ、表面粗さ、オフ角を評価した事例を紹介します。
データ
AFMによるステップ-テラス構造の評価



MST技術資料No. | C0708 |
掲載日 | 2024/04/25 |
測定法・加工法 | [AFM]原子間力顕微鏡法
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製品分野 | パワーデバイス 電子部品 照明
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分析目的 | 形状評価
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