LSI /Flash Memory

As semiconductor devices become finer and more integrated, it is becoming increasingly important to evaluate LSI and Memory with higher spatial resolution and sensitivity.
The followings are examples of analysis on the components in LSI and memory.

評価対象 評価項目 部位 Analysis Method
表面保護膜 膜厚・形状 実製品 SEMTEM
膜質(水素濃度・組成) 実製品 SIMS
バルク・薄膜 SIMSFT‐IR
配線・層間絶縁膜 配線・層間絶縁膜の組成 実製品 AESTEM‐EDXEELS
バルク・薄膜 XPSRBS
配線・層間絶縁膜の寸法 実製品 SEMTEM
配線内の結晶粒 実製品 EBSDTEMED
異物 実製品 AESTEM‐EDXSlice&View
配線金属成分の拡散 バルク・薄膜 SIMS
断線・短絡箇所特定 実製品 EMSOBIRCHロックイン発熱
配線金属の化学結合状態評価 バルク・薄膜 XPS
ゲート電極 ゲート電極の寸法 実製品 TEM
ゲート電極の組成 実製品 TEM‐EDXEELS
ゲート電極成分の拡散 バルク・薄膜 SIMS
ゲート絶縁膜 絶縁膜の寸法 実製品 TEM
絶縁膜の組成 実製品 TEM‐EDXEELS
絶縁膜の不純物濃度分布 バルク・薄膜 SIMS
絶縁膜の化学結合状態評価 バルク・薄膜 XPS
絶縁膜の密度評価 バルク・薄膜 XRR
拡散層 ドーパント分布評価 バルク・薄膜 SIMS
キャリア分布評価 バルク・薄膜 SRA
拡散層形状評価 実製品 SCMSMMSSRM
結晶欠陥評価 実製品 TEM
基板 ウエハ表面汚染評価 バルク・薄膜 XPSTOF‐SIMSICP‐MS
結晶性評価 バルク・薄膜 XRD
結晶欠陥評価 バルク・薄膜 PLTEM
応力評価 バルク・薄膜 RamanXRD
不純物分布評価 バルク・薄膜 SIMS


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