TOF-SIMS新サービスのご紹介【エレクトロニクス分野向け】

2016年10月、MSTは最新型の高分解能TOF-SIMSを導入し分析サービスを開始します。
本ページでは、エレクトロニクス関連の研究・開発に携わるお客様向けに事例をご紹介します。
これまでも実績のあるTOF-SIMS分析の技術を基盤に、さらに高品質なデータでお客様の研究開発をサポートします。

分析事例のご紹介

プレート中ノズル穴の表面・内壁の同時評価

表面と内壁がGaでコーティングされたノズル穴について、穴の表面や内側の側面を同時にイメージ測定しました。特殊測定により、このような凹凸に強い分析が可能です。

1μmレベルの高分解能での異物分析

金属膜(Cu/Ci/Siウエハ)表面上にFIB装置でMSTのマスコットキャラクター「てむぞうとますみん」の絵を描写しました。TOF-SIMSを用いて赤枠(70μm角)、青枠(8μm角)、朱枠(6μm角)をそれぞれ測定しました。

1μmレベルの微小領域の定性・イメージ分析が可能です。

絶縁物である紙に印刷した絵の成分分析

紙に印刷したMSTのマスコット「てむぞうとますみん」を測定しました。絶縁物でも感度良くイメージ分析可能です。

印刷部の最表面には脂肪酸エステルが存在していることがわかります。表面をGCIBでイオンクリーニング後には、青色顔料(銅フタロシアニン)が検出されました。

表面酸化膜のある異物の状態評価

水酸化アルミニウムAl(OH)3と酸化アルミニウムAl2O3の状態をイメージ分析可能です。【MSTオリジナル】

Ga2O3膜中極表面近傍の深さ方向分析

表面数nmレベルの極薄膜中の成分濃度が高感度に評価できます。

表面数nmの金属状態の深さ方向分析

異なる環境下で保管したCuの酸化膜厚評価が可能です。【MSTオリジナル】

アルミホイルによる保管はビニール袋での保管に比べ、Cu酸化膜厚が厚くなっていることがわかります。

手法解説

[TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法

~TOF-SIMS:Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry~

TOF-SIMSの特徴・適用例・原理・データ例・仕様など基本情報をご紹介します。

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