[TEM ED-Map]TEM電子回折マッピング法での分析が可能です

測定原理

電子ビームで試料をスキャンし電子回折パターンのマッピング取得を行います。
得られたパターンから結晶方位情報を解析し各種カラーマップを作成します。

TEM ED-Map測定原理

最小検出可能粒径 :約2 nm~(材質による)
最大取得範囲 :4 um×4 um

TEM ED-Mapヒストグラム

Auナノ結晶の結晶粒マップ(左)およびヒストグラム(右)

解析事例

粒径解析 – 3D NANDメモリ

TEM NAMDメモリ 複数の材質で構成されるデバイスなどについては、各材質ごとに結果を出力することができます。
市販品のNANDメモリについて解析を行いました。






TEM ED-Mapヒストグラム

W(左) および Poly-Si(右)の結晶粒マップとヒストグラム

配向性解析 – HDD 磁性ディスク

TEM ED-Map 結晶粒の方位情報から配向性を可視化することが可能です。

TEM ED-Map CrCoPt




CrCoPt 結晶粒の逆極点図方位マップ

ご依頼方法

MSTは、お客様からお預かりした材料・製品の機器分析を承ります。

お問い合わせから納品までの流れ

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専任の担当者が適切な分析プランをご提案します。

分析に関するお問い合わせ・お申し込み

[TEM ED-Map]TEM電子回折マッピング法について

  • 分析手法の基本情報
    TEMの電子回折を利用して、結晶性試料の方位分布解析を行う手法です。電子線プローブを走査しながら各点の電子回折パターンを測定することで、高空間分解能な結晶情報を取得できます。
    この手法では、SEMのEBSD法よりも小さい結晶粒の情報を得ることが可能です。

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てむぞう&ますみん

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