[OBIRCH]光ビーム加熱抵抗変動法

OBIRCH:Optical Beam Induced Resistance Change

装置外観

特徴

OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です。

  • 配線やビア内のボイド・析出物の位置を特定可能。
  • コンタクトの抵抗異常を特定可能。
  • 配線ショート箇所を特定可能。
  • DC電流経路を可視化。
  • ゲート酸化膜微小リークを捉えることが可能。

適用例

  • Siデバイス(トランジスタ・MOSFET・IGBT・CMOSセンサ)
  • SiCパワーデバイス(ショットキーバリアダイオード・MOSFETなど)
  • GaN発光素子・GaNデバイス(LD・LED・HEMTなど)
  • MEMS(圧力センサ・加速度センサ)

原理

① レーザを被観察領域に走査する。レーザ照射された配線部位は温度が上昇し、抵抗が変化する。
② レーザの走査に同期して電流値(または電圧値)を読み取る。
③ ボイド・析出物等の欠陥は配線正常部とTCRが異なるため、抵抗変化量も異なり特異な電流値(または電圧値)として検出される。

原理

データ例

OBIRCH測定結果:LSI配線部

OBIRCH像

OBIRCH像

重ね合わせ像

重ね合わせ像

OBIRCH測定結果: Si-Power MOSFET

OBIRCH測定結果: Si-Power MOSFET

データ形式

  • TIFFファイル(1,027KB): 生データ
    ※必要な場合は別途ご相談ください。
  • JPEGファイル(約600KB): 処理データ
    ※処理データは試料名・印加条件・倍率(スケールバー)などの記載を行います。

仕様

搬入可能試料サイズ 直径150mmφ×高さ50mm程度
測定視野 0.26mm×0.26mm, 0.65mm×0.65mm, 2.6mm×2.6mm, 13mm×13mm
倍率 対物レンズ×1,×5,×20,×50
位置精度 数μm程度
変調周波数 5kHzもしくは20kHz(ロックイン機能によるS/N比向上)
プローブ針 先端1μmφ,7μmφ,30μmφなど
印加電圧 DC±25V/100μA、DC±10V/100mA

必要情報

  1. 目的/測定内容
  2. 試料情報
    (1)数量および予備試料の有無など
    (2)プロービング位置・定格値(耐圧)・pn型の区別・Si基板厚(裏面OBIRCHの場合)・電気測定結果(I-Vカーブ)など
    (3)注意事項
  3. 納期
    (1)ご希望の速報納期
    (2)注意事項
  4. その他の留意点

注意点

以下の材料は測定に悪い影響を及ぼします。

  • レーザ照射により電流・電圧が不安定になるデバイス
  • レーザ照射により損傷するサンプル
  • オーミック接触がとれない試料

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