［SEM］走査電子顕微鏡法
SEMは、電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。
［SEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（SEM）
EDXは、電子線照射により発生する特性X線を検出し、エネルギーで分光することによって、元素分析や組成分析を行う手法です。EDS： Energy Dispersive X-ray Spectroscopyとも呼ばれます。多くの場合、SEMまたはTEMに付属しており、本資料ではSEM付属のEDXについて解説します。
［EPMA］電子プローブマイクロアナライザー
電子プローブマイクロアナライザー(Electron Probe Micro Analyzer:EPMA) は、真空中で細く絞られた電子線を固体試料表面に照射し、発生する特性X線を分析することで、元素の同定や定量値に関する知見を得る手法です。
［FIB-MS］集束イオンビーム質量分析法
FIB-MSは、SEM装置に搭載されたFIB(集束イオンビーム)とTOF型質量分析器を用いて、微小箇所の形状観察と元素イメージングを同時に行うことのできる手法です。
［Slice&View］三次元SEM観察法
FIB付き高分解能SEM装置を用い、FIBでの断面出し加工(Slice）とSEMによる観察（View）を細かく繰り返し、取得した像を再構築することで立体的な構造情報を得ることができます。また、SIM(Scanning Ion Microscope)像についても同様にSlice & Viewが可能です。
［EBIC］電子線誘起電流
SEM装置内で電子線を照射することで、試料内で正孔電子対が発生します。
通常は再結合して消滅しますが、空乏層など内部電界を有する領域で正孔電子対が生じた場合はキャリアが内部電界でドリフトされることで起電流として外部に取り出すことができます。この起電流をEBIC（Electron Beam Induced Current）と呼び、SEM像と併せて取得することでpn接合の位置や空乏層の広がりを可視化することが可能です。
［EBAC］電子ビーム吸収電流法
照射した電子ビームを試料側で電流として計測し（吸収電流）、走査に同期させて可視化することにより、吸収電流像を得ることができます。吸収電流像から配線の高抵抗・オープン箇所の特定ができます。
［EBSD］電子後方散乱回折法
EBSDを利用して結晶性試料の方位解析ができる手法です。 電子回折法より容易にかつ広い領域の結晶情報を得ることができます。
［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法
TEMは、薄片化した試料に電子線を照射し、試料を透過した電子や散乱した電子を結像し、高倍率で観察する手法です。
［TEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（TEM）
EDXは、分析対象領域に電子線照射した際に発生する特性X線の、エネルギーと発生回数を計測し、元素分析や組成分析を行う手法です。 多くの場合、SEMまたはTEMに付属しており、本資料ではTEMに付属のEDXについて紹介します。
［TEM-EELS］電子エネルギー損失分光法
EELS分析とは、電子が薄片試料を透過する際に原子との相互作用により失うエネルギーを測定する手法です。物質の構成元素や電子構造を分析することができます。
［ED］電子回折法
EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を調べる手法です。
［TEM ED-Map］電子回折法
TEMの電子回折を利用して、結晶性試料の方位分布解析を行う手法です。
［SIM］走査イオン顕微鏡法
固体試料にイオンビームを照射すると二次電子が発生します。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じます。この像を走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope：SIM）像といいます。