光デバイス

半導体レーザーは光学ドライブピックアップやコピー機などの民生品用に加え、光ファイバーなどの通信用や微細加工用など産業用にも広く用いられています。
発光色は半導体のバンドギャップに依存するため、良好な結晶および界面を形成することが重要です。
光デバイスの部材評価の分析例を以下に示します。

評価対象 評価項目 部位 分析手法
活性層 ドーパント分布評価 実製品 SIMS
活性層形状評価 実製品 SCMSMMSSRMSEM
構造・膜厚・結晶欠陥評価 実製品 TEM
非発光箇所の特定 実製品 EMSOBIRCH
量子ドットの構造観察 実製品 TEM
基板 ウエハ表面汚染評価 バルク・薄膜 XPSTOF‐SIMSICP‐MS
結晶性評価 バルク・薄膜 XRD
結晶欠陥評価 バルク・薄膜 PLTEM
応力評価 バルク・薄膜 RamanXRD
実製品 TEMED
不純物分布評価 バルク・薄膜 SIMS

光デバイスの分析事例はこちらからご覧ください。

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