電気特性異常の原因を調べたい

特定した異常箇所の断面構造を評価することで、異常の原因を調査します。
電気特性異常の場合、p-n接合の評価も有効です。

[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
  • 測定プローブ:電子線
  • 空間分解能:0.1nm~
  • 倍率:×20,000~×5,000,000
  • 配線やトランジスタなど特定箇所の構造を調査します。
    異常箇所が1um以内で特定されている場合に有効です。
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法
  • 測定プローブ:探針
  • 測定エリア:500nm~90um□
  • キャリア濃度:1015~1020cm-3
  • 加工した断面を探針を走査することで、p/nのキャリア分布の異常を調査します。

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