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異物の発生原因を調べたい

異物と正常箇所の元素の組成を測定して比較します。
異物の断面観察は、どの段階で異物が発生したかを調査することに有効です。

	［AES］オージェ電子分光法測定プローブ：電子線測定プローブ径：数十nmφ～ B～Uまでの元素を検出可能です。試料測定面の最表面のみの組成を検出します。 AESの分析事例はこちら
	［XPS］X線光電子分光法測定プローブ：X線測定プローブ径：9umφ～異物の表面（深さ数nmまで）の元素を検出します。領域内の元素の結合状態も合わせて測定できます。 XPSの分析事例はこちら
	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法空間分解能：nm～測定プローブ：イオンビーム測定プローブ径：250nmφ 異物の最表面から出る分子イオンを測定します。 TOF-SIMSの分析事例はこちら
	［Raman］ラマン分光法測定プローブ：レーザー測定プローブ径：1umφ～ラマン散乱光から、分子の振動モードを調べます。ライブラリから該当する分子を同定します。 Ramanの分析事例はこちら
	［FT-IR］フーリエ変換赤外分光法測定プローブ：赤外光測定プローブ径：数十um□～赤外線の吸収スペクトルから、分子の振動モードを調べます。ライブラリから該当する分子を同定します。 FT-IRの分析事例はこちら
	［SEM］走査電子顕微鏡法測定プローブ:電子線空間分解能：0.5nm～倍率：×30～×300,000 10um以上の大きな異物の構造評価に有効です。 SEMの分析事例はこちら
	［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法測定プローブ：電子線空間分解能：0.1nm～倍率：×20,000～×5,000,000 数um～数十nmまでの異物の構造調査に有効です。 (S)TEMの分析事例はこちら
	［SEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（SEM）［TEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（TEM）測定プローブ：電子線測定プローブ径：数nmφ～ B～Uまでの元素を検出可能です。金属元素の検出感度が高い特徴があります。 SEM-EDXの分析事例はこちら TEM-EDXの分析事例はこちら
	［XRF］蛍光X線分析法測定プローブ：蛍光X線測定プローブ径：10umφ/1.2mmφ Na～Uまでの元素を検出可能です。 XRFの分析事例はこちら

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