走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察(C0545)

金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です

MST技術資料No.C0545
掲載日2019/04/11
測定法・加工法[SIM]走査イオン顕微鏡法
製品分野LSI・メモリ
分析目的構造評価

概要

走査イオン顕微鏡(Scanning Ion Microscope:SIM)は固体試料にイオンビームを照射し、発生する二次電子を検出する手法です。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定例としてCu表面をSIMによって観察した事例をご紹介します。

データ

Cuなどの金属多結晶では、下図のように各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストが生じます(チャネリング像)。
チャネリング像は入射ビームが電子の場合でも見られますが、Gaイオンの方がコントラストがつきやすいため、結晶粒の観察などには、SEM像よりSIM像が適しています。 

Ga正イオンビーム入射方位
に対する結晶面の原子密度
コントラスト 暗い 明るい
原子配列イメージ

Cu表面の走査イオン顕微鏡像(SIM像)

ポイント

  • 走査イオン顕微鏡(SIM)によって金属多結晶の大きさや分布を簡便に評価することが可能です

関連する分析事例

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察 2019/04/11 走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察(C0545) [SIM]走査イオン顕微鏡法
LSI・メモリ
構造評価
SEMとSIMによるCu表面の二次電子像の比較 2019/04/11 SEMとSIMによるCu表面の二次電子像の比較(C0543) [SEM]走査電子顕微鏡法
[SIM]走査イオン顕微鏡法
LSI・メモリ
構造評価

分析のご相談・お申し込み

知識豊富な営業担当が、最適な分析プランをご提案。
分析費用のお見積りもお気軽にお問い合わせください。
相談・お申し込みは、専用のフォームかお電話でどうぞ。

webからのお問い合わせはこちら

お問い合わせフォーム

お電話からのお問い合わせはこちら

ページトップへ

てむぞう&ますみん

てむぞう&ますみん