Cu表面の結晶粒観察(C0545)

金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です

概要

走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope：SIM）は固体試料にイオンビームを照射し、発生する二次電子を検出する手法です。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定例としてCu表面をSIMによって観察した事例をご紹介します。

データ

Cuなどの金属多結晶では、下図のように各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストが生じます（チャネリング像）。
チャネリング像は入射ビームが電子の場合でも見られますが、Gaイオンの方がコントラストがつきやすいため、結晶粒の観察などには、SEM像よりSIM像が適しています。 

Ga正イオンビーム入射方位 に対する結晶面の原子密度	疎	密
コントラスト	暗い	明るい
原子配列イメージ

Cu表面の走査イオン顕微鏡像（SIM像）

ポイント

• 走査イオン顕微鏡（SIM）によって金属多結晶の大きさや分布を簡便に評価することが可能です

MST技術資料No.	C0545
掲載日	2020/04/30
測定法・加工法	［SIM］走査イオン顕微鏡法
製品分野	LSI・メモリ
分析目的	構造評価