半導体のイオン化ポテンシャル評価(B0191)

UPS：紫外光電子分光法

半導体のイオン化ポテンシャル評価

半導体では、価電子帯立ち上がり位置（VBM）と高束縛エネルギー側の立ち上がり位置（Ek(min)）より、イオン化ポテンシャルを求めることが可能です。
表面有機汚染除去程度のArイオンスパッタクリーニング後に測定を行っています。

価電子帯立ち上がり位置（VBM）の決定

価電子帯頂点近傍のスペクトルを直線で外挿し、バックグラウンドとの交点を求めます。

イオン化ポテンシャルの算出

イオン化ポテンシャル（I.P.）＝ hν-W
　hν：照射紫外線のエネルギー（He I線21.22eV）
　W：スペクトルのエネルギー幅（Ek(min) - VBM）

ITO膜表面のUPS測定結果

MST技術資料No.	B0191
掲載日	2014/02/06
測定法・加工法	［UPS］紫外光電子分光法
製品分野	LSI・メモリ
分析目的	その他