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ポジ型フォトレジストの構造解析(C0504)

熱分解GC/MS法により感光剤の構造解析が可能

MST技術資料No.C0504
掲載日2018/01/18
測定法・加工法[GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
製品分野電子部品
分析目的組成評価・同定

概要

ポジ型フォトレジストは、半導体デバイス製造時のフォトリソグラフィー材料として広く用いられています。
レジストに使用される素材は露光光源によって大きく異なりますが、g線、i線用のレジストでは一般にベース樹脂としてクレゾールノボラック樹脂、感光剤としてナフトキノンジアジド化合物が用いられています。本事例では熱分解GC/MS法によってナフトキノンジアジド化合物を分解し、母核の構造を推定した事例を紹介します。

データ

図1 熱分解GC/MSクロマトグラム

ナフトキノンジアジド化合物の推定構造

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