X線CT観察によるSiC Trench MOSFETディスクリートパッケージの評価(C0554)
ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察
概要
他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。
X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。
※SiC Trench MOSFET関連資料：トレンチ側壁粗さ評価(C0555) 拡散層評価(C0556)
データ
サンプル外観
サンプルサイズ：3.5×5.0cm
分析結果（上記試料を破壊せずに観察）
三次元構築像
X線透過像
開封後のサンプル内部構造
（非破壊分析後開封実施）
ポイント
-
サンプルの内部構造を非破壊で分析可能です。
- 三次元構築像、併せてX線透過像のご提供が可能です。
- 製品の破壊分析前のサンプル内部構造を確認可能です。
| MST技術資料No. | C0554 |
|---|
| 掲載日 | 2020/04/30 |
|---|
| 測定法・加工法 | X線CT法
|
|---|
| 製品分野 | パワーデバイス
|
|---|
| 分析目的 | 形状評価
構造評価
劣化調査・信頼性評価
製品調査
|
|---|