X線CT観察によるSiC Trench MOSFETディスクリートパッケージの評価(C0554)

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

概要

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。
X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析(破壊分析)をご提案します。

※SiC Trench MOSFET関連資料:トレンチ側壁粗さ評価(C0555)
               拡散層評価(C0556)

データ

サンプル外観

サンプルサイズ:3.5×5.0cm

分析結果(上記試料を破壊せずに観察)

三次元構築像
X線透過像
開封後のサンプル内部構造
(非破壊分析後開封実施)

ポイント

  • サンプルの内部構造を非破壊で分析可能です。
  • 三次元構築像、併せてX線透過像のご提供が可能です。
  •  製品の破壊分析前のサンプル内部構造を確認可能です。

MST技術資料No.C0554
掲載日2020/04/30
測定法・加工法X線CT法
製品分野パワーデバイス
分析目的形状評価
構造評価
劣化調査・信頼性評価
製品調査

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