SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さ評価(C0555)

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

MST技術資料No.C0555
掲載日2019/02/28
測定法・加工法[SEM]走査電子顕微鏡法
[AFM]原子間力顕微鏡法
製品分野パワーデバイス
分析目的形状評価
構造評価
劣化調査・信頼性評価
製品調査

概要

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。
Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM(原子間力顕微鏡)を用いて定量的に評価した例を紹介します。
※参考資料:C0554,C0556

データ

サンプル外観

分析結果

図トレンチ表面形状・表面粗さ

ポイント

  • トレンチ側壁の微細構造及びうねりの形状を粗さとして定量的に評価可能です

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