シリコンウェハ上の汚染原因調査(C0110)

表面分析を行うことでウェハ上の汚染評価が可能です

概要

半導体デバイス製造において汚染工程を調べるため、不良の原因となる薄い付着物が何に起因するかを調べる必要があります。EDXでCが検出され、XPSで定量を行った付着物について、TOF-SIMSで分析を行いました。各工程で使用している標準試料の手袋と比較をしたところ、手袋A, Bと似た傾向が見られました。更に、標準試料の手袋をSiウエハに付着させて検証をしました。その結果、手袋Aに類似していることがわかりました。標準試料をSiウエハに付着させて検証することは有効な手段です。

データ

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MST技術資料No.	C0110
掲載日	2015/03/05
測定法・加工法	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法［XPS］X線光電子分光法［SEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（SEM）
製品分野	LSI・メモリ電子部品
分析目的	組成評価・同定化学結合状態評価組成分布評価

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