酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価(C0440)

極浅い領域でも高感度に分析

MST技術資料No.C0440
掲載日2016/09/29
測定法・加工法[TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
製品分野パワーデバイス
酸化物半導体
分析目的微量濃度評価

概要

酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不純物濃度の制御が重要です。本資料ではGa2O3膜の表面近傍について、金属元素の定量分析を行った事例を示します。
TOF-SIMSでは極浅い領域でも高感度に評価が可能です。

データ

TOF-SIMS測定により得られたデプスプロファイルを下記に示します。

膜表面近傍では各元素が高濃度存在し、膜内部ではppm~ppbレベルまで減少していることがわかります。この測定における検出下限濃度は表1に示したとおりで、高い検出感度を保っています。

このように、TOF-SIMSの深さ方向分析は浅い領域を高感度分析するのに適しています。

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