TOF-SIMSによる微小領域の定性・イメージ分析(C0449)

サブμmオーダーの異物、微小領域の定性・イメージ分析が可能

MST技術資料No.C0449
掲載日2016/11/24
測定法・加工法[TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
製品分野LSI・メモリ
電子部品
分析目的組成評価・同定
組成分布評価

概要

TOF-SIMSは、着目箇所を局所的に分析して得られる質量スペクトルにより元素分析と有機物・無機物の分子情報の解析が同時に可能なことから、異物や微小領域の評価に有効です。
本資料は、サブμmオーダーの微小領域の分析例をまとめます。
層構造の試料上にFIBでスパッタ加工を行ったサンプルを、TOF-SIMSで測定をしました。サブμmオーダーの微小領域を評価をすることが出来ています。

データ

結果

図1に示す層構造のサンプル上に描かれたMSTキャラクター「てむぞう&ますみん」(図2)の赤枠(70μm角)・青枠(8μm角)・黄枠(6μm角)をそれぞれ測定しました(図3)。
青枠、黄枠の評価において、Crのイメージ像がはっきりととらえられています。

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