斜め加工を用いたMLCCの不純物評価 MLCC：multi-layer ceramic capacitor (C0608)

斜め加工を用いたセラミックス層の不純物分布評価

概要

積層セラミックコンデンサ(MLCC)はセラミックの誘電体と電極を多層化して大容量化を図ったコンデンサです。MLCCの電気的性質は不純物の影響を顕著に受けるため、セラミック層中不純物や電極成分拡散の評価が重要です。
MLCCに微細化に伴い、セラミック層が薄くなり不純物の評価が困難となっています。本資料では、前処理を工夫し、セラミック層の不純物評価した結果を紹介いたします。

データ

前処理

機械研磨とイオンによる加工(IP：イオンポリッシュ)を用いて、斜めの断面を作成しました。

セラミック層の不純物結果

この分析事例のPDFファイルを開く斜め加工を用いたMLCCの不純物評価 MLCC：multi-layer ceramic capacitor

MST技術資料No.	C0608
掲載日	2020/06/25
測定法・加工法	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法［IP法］Arイオン研磨加工
製品分野	電子部品
分析目的	不純物評価・分布評価

関連する分析事例

掲載日	タイトル	測定法・加工法	製品分野	分析目的
2025/05/01	紙表面の定性分析及び成分の分布評価(C0731)	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法	日用品	組成評価・同定不純物評価・分布評価
2025/04/10	SiON極薄膜中の成分深さ方向分析(C0264)	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法	LSI・メモリ	化学結合状態評価組成分布評価その他
2025/01/30	ペロブスカイト太陽電池のHTM層の分析(C0724)	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法	太陽電池	組成評価・同定不純物評価・分布評価
2024/07/18	無アルカリガラス中の金属不純物の定性と定量評価(B0303)	［SIMS］二次イオン質量分析法［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法	LSI・メモリ電子部品製造装置・部品酸化物半導体	微量濃度評価不純物評価・分布評価
2023/12/28	セラミックスのぬれ性原因評価(C0705)	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法	製造装置・部品	組成評価・同定
2023/12/28	セラミックス表面における洗浄成分の分布評価(C0704)	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法	製造装置・部品日用品その他	化学結合状態評価組成分布評価故障解析・不良解析
2023/12/21	セラミックスの変色原因評価(C0703)	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法	製造装置・部品	組成分布評価
2023/02/02	撥水箇所の成分分析(C0686)	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法	LSI・メモリパワーデバイス光デバイス電子部品照明ディスプレイ製造装置・部品酸化物半導体高分子材料日用品	組成分布評価不純物評価・分布評価
2023/01/26	光ファイバーのコアとクラッドの定性評価(C0685)	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法その他	電子部品高分子材料その他	組成分布評価不純物評価・分布評価その他
2022/11/10	剥離原因となる金属界面の有機物評価(B0285)	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法	LSI・メモリパワーデバイス光デバイス電子部品製造装置・部品酸化物半導体	故障解析・不良解析不純物評価・分布評価