CIGS太陽電池へテロ接合界面の抵抗評価(C0161)

真空下での走査型広がり抵抗顕微鏡(SSRM)による局所抵抗分布評価

MST技術資料No.C0161
掲載日2010/01/01
測定法・加工法[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[SSRM]走査型広がり抵抗顕微鏡法
製品分野太陽電池
分析目的形状評価

概要

CIGS薄膜太陽電池のZnO/CdS/CIGSの多結晶へテロ接合界面をSSRM法で分析し、局所的な抵抗分布を計測しました。真空環境下で測定することで、測定表面の吸着水を除去し、高空間分解能を得ることができます。測定結果から、ナノメートルレベルの空間分解能で各層の抵抗値を計測できていることが分かります。各層の抵抗値が数桁異なり、これがキャリア濃度の違いを示しています。CIGS層はi-ZnO層よりも高抵抗であること、CdSはこれらの層よりもさらに高抵抗であることが分かりました。

データ

サンプルご提供:東京工業大学 山田明研究室

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