セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価(C0532)

ppmオーダーの微量金属も評価可能です

概要

各種材料の特性を設計・制御するにあたって、母材に微量含まれている元素の種類や量、またそれらの存在状態を明らかにするのは非常に重要です。このうち元素の種類や量に関してはSIMS(二次イオン質量分析法)やICP-MS(誘導結合プラズマ質量分析法)などによって評価可能ですが、価数・化学結合状態などといった存在状態の評価には放射光を用いたXAFS(X線吸収微細構造)測定が有効です。本資料では測定例としてセラミックス材料に微量含まれるCeの価数を評価した事例をご紹介します。

データ

Ce-L_Ⅲ 端XANES^※スペクトル

※X-ray Absorption Near Edge Structure

参考文献： Y. Takahashi et al., Analytica Chｉmica Acta 468 (2002) 345.

ポイント

XAFSによってppmオーダーの微量金属について価数・結合状態の情報が得られます

適用事例

蛍光体材料中のEu,Ceの価数評価
半導体中に微量含まれる不純物の存在サイトの特定
リチウムイオン二次電池材料中、電解液に溶出した微量金属の状態評価

この分析事例のPDFファイルを開くセラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価

MST技術資料No.	C0532
掲載日	2018/09/13
測定法・加工法	［XAFS］X線吸収微細構造
製品分野	LSI・メモリ照明酸化物半導体
分析目的	化学結合状態評価

関連する分析事例

掲載日	タイトル	測定法・加工法	製品分野	分析目的
2018/09/13	セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価(C0532)	［XAFS］X線吸収微細構造	LSI・メモリ照明酸化物半導体	化学結合状態評価
2018/03/22	X線吸収・発光分光によるバンド構造評価(C0514)	［XAFS］X線吸収微細構造その他	LSI・メモリ照明酸化物半導体	その他
2018/02/22	GaNの部分状態密度測定(C0511)	［XAFS］X線吸収微細構造 [SXES]軟X線発光分光法その他	LSI・メモリ照明酸化物半導体	その他
2017/08/10	酸化アルミニウム薄膜の局所構造解析(C0478)	［XAFS］X線吸収微細構造	LSI・メモリ製造装置・部品	化学結合状態評価構造評価
2017/06/29	XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価(C0472)	［XAFS］X線吸収微細構造	パワーデバイス照明	化学結合状態評価構造評価
2017/03/16	酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価(C0462)	［XPS］X線光電子分光法［XAFS］X線吸収微細構造	パワーデバイス太陽電池照明酸化物半導体	その他
2017/01/19	in-situ XAFSによるRuO₂触媒の化学状態評価(C0456)	［XAFS］X線吸収微細構造	燃料電池その他	化学結合状態評価
2017/01/19	燃料電池用PtRu触媒の雰囲気・温度制御下での金属価数評価（in-situ XAFS）(C0455)	［XAFS］X線吸収微細構造	燃料電池その他	化学結合状態評価
2016/11/10	HfZrOx膜の結晶構造同定・含有割合の算出(C0447)	［XAFS］X線吸収微細構造［XRD］X線回折法	LSI・メモリ	構造評価
2016/10/06	XAFSによるシリコン酸化膜評価(C0439)	［XAFS］X線吸収微細構造	パワーデバイス電子部品太陽電池二次電池ディスプレイ酸化物半導体	化学結合状態評価構造評価