XAFSによるシリコン酸化膜評価(C0439)

シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価

MST技術資料No.C0439
掲載日2016/10/06
測定法・加工法[XAFS]X線吸収微細構造
製品分野パワーデバイス
電子部品
太陽電池
二次電池
ディスプレイ
酸化物半導体
分析目的化学結合状態評価
構造評価

概要

シリコン酸化膜はMOSデバイスやリチウムイオン二次電池の負極材料として広く利用されていますが、中間酸化物の有無や界面での結合状態がデバイス特性に大きな影響を与えることが知られています。
放射光を用いたXAFS測定では試料表面から数十nmの深さの情報を検出するため、非破壊でバルク・界面における構造および結合状態を解析することが可能です。
本資料ではXAFSを用いてシリコン酸化膜の中間酸化物の有無を調査した事例を紹介します。

データ

XAFSによるシリコン酸化膜評価の特長

  • シリコン周囲の局所構造解析が可能
  • 中間酸化物の有無の判定および定量が可能
  • 検出深さが数十nmのため、非破壊でバルク・界面の評価が可能

参考文献:A. Hirata, et al., Nat. Commun. 7, 11591 (2016).

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