XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価(C0472)

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

MST技術資料No.C0472
掲載日2017/06/29
測定法・加工法[XAFS]X線吸収微細構造
製品分野パワーデバイス
照明
分析目的化学結合状態評価
構造評価

概要

窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。その製造工程では、結晶欠陥の無い高品質なGaN結晶の作製が求められるため、イオン注入などによるダメージやその回復度合いの確認は重要な評価項目となっています。
本資料ではXAFSによってGaN基板へのイオン注入によるダメージを評価した事例をご紹介します。
GaN表面近傍における結晶構造の乱れや、膜中のN2、格子間Nを高精度で検出することが可能です。

データ

ポイント

GaN表面近傍の結晶構造の乱れや、膜中のN2、格子間Nを高精度で検出可能です

参考文献:
M. Katsikini et al., Applied Physics Letters 82 (2003) 1556.
M. Katsikini et al., Materials Science and Engineering B 152 (2008) 132.

関連する分析事例

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価 2018/09/13 セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価(C0532) [XAFS]X線吸収微細構造
LSI・メモリ
照明
酸化物半導体
化学結合状態評価
X線吸収・発光分光によるバンド構造評価 2018/03/22 X線吸収・発光分光によるバンド構造評価(C0514) [XAFS]X線吸収微細構造
その他
LSI・メモリ
照明
酸化物半導体
その他
軟X線発光分光によるGaNの評価 2018/02/22 軟X線発光分光によるGaNの評価(C0511) [XAFS]X線吸収微細構造
その他
LSI・メモリ
照明
酸化物半導体
その他
酸化アルミニウム薄膜の局所構造解析 2017/08/10 酸化アルミニウム薄膜の局所構造解析(C0478) [XAFS]X線吸収微細構造
LSI・メモリ
製造装置・部品
化学結合状態評価
構造評価
XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価 2017/06/29 XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価(C0472) [XAFS]X線吸収微細構造
パワーデバイス
照明
化学結合状態評価
構造評価
酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価 2017/03/16 酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価(C0462) [XPS]X線光電子分光法
[XAFS]X線吸収微細構造
パワーデバイス
太陽電池
照明
酸化物半導体
その他
試料環境制御in-situ XAFSによるRuO2触媒の化学状態評価 2017/01/19 試料環境制御in-situ XAFSによるRuO2触媒の化学状態評価(C0456) [XAFS]X線吸収微細構造
燃料電池
その他
化学結合状態評価
燃料電池用PtRu触媒の雰囲気・温度制御下での金属価数評価(in-situ XAFS) 2017/01/19 燃料電池用PtRu触媒の雰囲気・温度制御下での金属価数評価(in-situ XAFS)(C0455) [XAFS]X線吸収微細構造
燃料電池
その他
化学結合状態評価
HfZrOx膜の結晶構造同定・含有割合の算出 2016/11/10 HfZrOx膜の結晶構造同定・含有割合の算出(C0447) [XAFS]X線吸収微細構造
[XRD]X線回折法
LSI・メモリ
構造評価
XAFSによるシリコン酸化膜評価 2016/10/06 XAFSによるシリコン酸化膜評価(C0439) [XAFS]X線吸収微細構造
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
二次電池
ディスプレイ
酸化物半導体
化学結合状態評価
構造評価

分析のご相談・お申し込み

知識豊富な営業担当が、最適な分析プランをご提案。
分析費用のお見積りもお気軽にお問い合わせください。
相談・お申し込みは、専用のフォームかお電話でどうぞ。

webからのお問い合わせはこちら

お問い合わせフォーム

お電話からのお問い合わせはこちら

ページトップへ

てむぞう&ますみん

てむぞう&ますみん