XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価(C0472)

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

概要

窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。その製造工程では、結晶欠陥の無い高品質なGaN結晶の作製が求められるため、イオン注入などによるダメージやその回復度合いの確認は重要な評価項目となっています。
本資料ではXAFSによってGaN基板へのイオン注入によるダメージを評価した事例をご紹介します。
GaN表面近傍における結晶構造の乱れや、膜中のN2、格子間Nを高精度で検出することが可能です。

データ

ポイント

GaN表面近傍の結晶構造の乱れや、膜中のN2、格子間Nを高精度で検出可能です

参考文献：
M. Katsikini et al., Applied Physics Letters 82 (2003) 1556.
M. Katsikini et al., Materials Science and Engineering B 152 (2008) 132.

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MST技術資料No.	C0472
掲載日	2017/06/29
測定法・加工法	［XAFS］X線吸収微細構造
製品分野	パワーデバイス照明
分析目的	化学結合状態評価構造評価

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