DRAMチップのTEM・SEMによる構造解析(C0542)

製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング

概要

代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。
外観観察からレイヤー解析、Slice&Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。

 

データ

MST技術資料No.C0542
掲載日2020/04/30
測定法・加工法[SEM]走査電子顕微鏡法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
製品分野LSI・メモリ
分析目的形状評価
構造評価
製品調査

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