パワーデバイスのドーパントおよびキャリア濃度分布の評価(C0286)

複合解析で活性化率に関する評価が可能

概要

SIMSによる不純物濃度分布とSRAによるキャリア濃度分布を比較することで、ドーパントの活性化状態がわかるだけでなく、整合しない領域には未知の不純物の存在、構造的な問題の内在が示唆されます。
Profile Viewerを用いれば、お手元でSIMSのデータとSRAのデータを重ね、解析することが可能です。
一例として、市販のダイオードチップについて、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部（図1）および裏面について、SIMSとSRAを行った事例をご紹介します。

データ

図2の構造の市販のダイオードチップのSIMSとSRAの結果を図3-1～3に示します。
結果、ダイオードチップの表面は、N^-層の上にBが注入されおり（図3-1,2）、ダイオードチップの裏面は、AsドープN⁺基板にPが注入されていました（図3-3）。
SIMSとSRAを行う事で、ドーパント及びキャリアの濃度分布、活性化率の違いについて評価できます。

MST技術資料No.	C0286
掲載日	2012/12/20
測定法・加工法	［SRA］広がり抵抗測定法 その他
製品分野	パワーデバイス
分析目的	微量濃度評価 組成分布評価 製品調査