TOF-SIMSによるニッケルめっき剥離面の評価(C0404)

めっきの剥がれ不良をTOF-SIMS分析で原因調査

MST技術資料No.C0404
掲載日2020/05/06
測定法・加工法[TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
その他
製品分野LSI・メモリ
分析目的化学結合状態評価
組成分布評価
故障解析・不良解析

概要

リン青銅上のニッケルめっきに発生した剥がれの不具合を調査するため、TOF-SIMS分析を行いました。
剥がれの部分を強制剥離させ、TOF-SIMSで定性分析を行ったところ、剥離面からはシロキサンやカリウム化合物(塩化カリウムや硫酸カリウム)などが検出されました。これらの成分が剥がれの原因であると考えられます。

データ

剥がれてしまった部分を強制剥離させて、剥離面をTOF-SIMS分析を行いました。

定性分析(マススペクトル)

Ni・Cu・シロキサン(SiC3H9)のマッピングデータ

横方向のラインプロファイル

上記のマッピングデータにより、剥離した部分にはシロキサン(SiC3H9)が多く存在していることがわかります。
横方向のラインプロファイルにより、シロキサンが多く存在する部分には、ニッケルと銅が少なくなっていることも確認できます。

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