FIB低加速加工(B0111)
FIB：集束イオンビーム加工
FIBを用いたTEM観察用薄膜試料作製法では、高エネルギーのGaイオン（加速電圧30kV）を用いており、加工面にダメージ層が生じ、TEMの像質低下の原因となっています。そこで従来より低加速（2kV）の加工を行うことでダメージ層が低減でき、像質が改善されました。
FIB低加速加工によりFIB加工面のダメージを低減することで、TEM像観察、EELS測定において高品質で信頼性の高いデータが得られます。
データ例
従来の条件と低加速条件の比較：InP基板