FIB低加速加工(B0111)

FIB:集束イオンビーム加工

MST技術資料No.B0111
掲載日2010/01/01
測定法・加工法[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EELS]電子エネルギー損失分光法
[FIB]集束イオンビーム加工
製品分野LSI・メモリ
光デバイス
電子部品
分析目的形状評価
構造評価
その他

FIBを用いたTEM観察用薄膜試料作製法では、高エネルギーのGaイオン(加速電圧30kV)を用いており、加工面にダメージ層が生じ、TEMの像質低下の原因となっています。そこで従来より低加速(2kV)の加工を行うことでダメージ層が低減でき、像質が改善されました。
FIB低加速加工によりFIB加工面のダメージを低減することで、TEM像観察、EELS測定において高品質で信頼性の高いデータが得られます。

データ例

従来の条件と低加速条件の比較:InP基板

関連する分析事例

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
電子デバイス内特異箇所の複合解析 2019/08/29 電子デバイス内特異箇所の複合解析(C0572) [SEM]走査電子顕微鏡法
[SEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(SEM)
X線CT法
[FIB]集束イオンビーム加工
電子部品
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
DRAMチップの解析 2019/04/04 DRAMチップの解析(C0542) [SEM]走査電子顕微鏡法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
LSI・メモリ
形状評価
構造評価
製品調査
STEM・EDXデータと像シミュレーションの組み合わせによる結晶構造評価 2019/03/14 STEM・EDXデータと像シミュレーションの組み合わせによる結晶構造評価(C0558) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)
計算科学・データ解析
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
二次電池
酸化物半導体
構造評価
STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した多結晶体の結晶構造解析 2019/03/14 STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した多結晶体の結晶構造解析(C0557) [EBSD]電子後方散乱回折法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
計算科学・データ解析
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
二次電池
酸化物半導体
構造評価
CMOSセンサの総合評価 2018/11/29 CMOSセンサの総合評価(C0537) [SEM]走査電子顕微鏡法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)
光デバイス
電子部品
組成評価・同定
形状評価
構造評価
PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価 2017/11/15 PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価(C0494) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[PL]フォトルミネッセンス法
[FIB]集束イオンビーム加工
その他
パワーデバイス
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
リチウムイオン二次電池正極材料の原子分解能分析 2017/08/03 リチウムイオン二次電池正極材料の原子分解能分析(C0475) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)
[TEM-EELS]電子エネルギー損失分光法
[ED]電子回折法
二次電池
組成評価・同定
組成分布評価
構造評価
高電子移動度トランジスタの評価 2016/02/25 高電子移動度トランジスタの評価(C0410) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EELS]電子エネルギー損失分光法
パワーデバイス
膜厚評価
構造評価
ABF-STEM観察によるGaNの極性評価 2016/02/18 ABF-STEM観察によるGaNの極性評価(C0409) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
パワーデバイス
光デバイス
形状評価
膜厚評価
構造評価
導電性塗料中の成分の分析 2015/10/15 導電性塗料中の成分の分析(C0400) [SEM]走査電子顕微鏡法
[FIB]集束イオンビーム加工
クライオ加工
日用品
組成評価・同定
組成分布評価
形状評価
製品調査

分析のご相談・お申し込み

知識豊富な営業担当が、最適な分析プランをご提案。
分析費用のお見積りもお気軽にお問い合わせください。
相談・お申し込みは、専用のフォームかお電話でどうぞ。

webからのお問い合わせはこちら

お問い合わせフォーム

お電話からのお問い合わせはこちら

ページトップへ

てむぞう&ますみん

てむぞう&ますみん