Siウエハ表面の金属汚染評価(B0233)

ICP-MS:誘導結合プラズマ質量分析法

MST技術資料No.B0233
掲載日2017/04/06
測定法・加工法[ICP-MS]誘導結合プラズマ質量分析法
製品分野製造装置・部品
環境
分析目的微量濃度評価

市販品φ200mmSiウエハ表面の金属汚染評価

ICP-MSを用いたSiウエハ表面の金属汚染評価の目的には、Siウエハ自体の汚染評価以外にも、半導体装置内の汚染評価、Siウエハ暴露による作業環境場の評価などもあり、Siウエハ表面の分析は様々な目的で行われます。ICP-MS分析ではSiウエハ表面の金属汚染量を高感度に取得でき、さらに目的に応じて評価領域を指定することも可能です。

金属膜・積層構造・パターニングがある場合は別途ご相談ください。

Siウエハ鏡面側全面の自然酸化膜を溶解・回収して、ICP-MSにて金属元素量を測定しました。

  • 上記以外の金属元素についても評価可能です。
  • 定性・半定量分析にて一度に多くの金属元素情報を取得することもできます。

Siウエハ表面の評価領域例

金属膜・積層構造・パターニングがある場合は別途ご相談ください。

  • 全面でなく、評価する領域を指定することも可能です。

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