X線によるZn系バッファ層の複合評価(C0282)

組成・結合状態・構造・密度の評価が可能

MST技術資料No.C0282
掲載日2013/07/04
測定法・加工法[XPS]X線光電子分光法
[XRD]X線回折法
[XRR]X線反射率法
その他
製品分野太陽電池
酸化物半導体
分析目的組成評価・同定
化学結合状態評価
膜厚評価
構造評価

概要

CIGS薄膜太陽電池の高効率化において、光吸収層から透明電極までのバンド構造や結晶性の制御のために様々なバッファ層材料が検討されております。
平坦化された基板上に成膜したZn系バッファ層についてX線による各種評価を行った事例を示します。
成膜条件による水準間、成膜後の各種プロセスの水準間での比較が可能です。

データ

※平坦化されたCIGS膜などでも可能です。
薄膜部の信号ピークとの干渉を避けるため事前にお問い合わせください。

サンプルご提供:東京工業大学 山田明研究室

XPS

透明電極からバッファ層までの組成分布

O1sスペクトルを波形解析することで透明電極およびバッファ層中のZnについて硫化・酸化・水酸化の状態に分離することが可能です。

非破壊で薄膜の結晶性、膜厚、密度を測定することが可能です。

In-plane XRD

回折プロファイルの同定から薄膜中に含まれる結晶性物質としてZnO, ZnSが検出されました。

XRR

プロファイルの振動・振幅から透明電極とバッファ層にわずかな密度差があることがわかりました。

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