シリコン単結晶中の格子間原子濃度の定量(C0235)

赤外吸収法により非破壊で格子間酸素・炭素濃度を定量

MST技術資料No.C0235
掲載日2012/06/21
測定法・加工法[FT-IR]フーリエ変換赤外分光法
製品分野LSI・メモリ
太陽電池
分析目的化学結合状態評価

概要

シリコン単結晶中の格子間酸素及び炭素原子濃度をFT-IR分析により非破壊で求めることが可能です。透過法により測定したスペクトルの格子間酸素または炭素による吸収のピーク高さから算出します。
算出方法は、電子情報技術産業協会(JEITA: Japan Electronics and Information Technology Industries Association)により規格されています。
格子間酸素原子濃度を算出した事例を以下に示します。

データ

測定(透過法)

適用条件

Si中C(シリコン中炭素) 1×1016atoms/cm3 ~ 約3×1018atoms/cm3 (格子間酸素の固溶限)
Si中O(シリコン中酸素) 2×1015atoms/cm3 ~ 約3×1017atoms/cm3 (置換型炭素の固溶限)
※2mm厚の両鏡面が望ましく、同じ厚みのFz-Siをリファレンスとして測定する必要があります。

算出方法

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