電子デバイス内特異箇所の複合解析(C0572)

デバイス内部の構造を複合的に評価します

概要

MSTでは電子デバイス内部の構造評価に適した技術を取り揃えており、観察視野や目的に応じた分析手法をご提案します。
本資料では、X線CTとFIB-SEMを用いてデバイスの特異箇所を調査した事例を紹介します。まずX線CTを用いてサンプル全体の内部構造を観察し、特異箇所を探索しました。続いて、ビア上に確認された特異的な構造物について、FIB-SEMを用いて詳細な構造を確認しました。

データ

X線CTによりサンプル内部の特異箇所を非破壊で把握

図1 X線CT像（特異箇所：矢印部）

図2 X線CT像（3D像、特異箇所を擬似カラー着色）

• サンプルの全体構造を三次元解析し、特異箇所を探索

FIB-SEMにより特異箇所の構造や組成を詳細に分析

図5 SEM-EDXによる元素分布分析結果

ポイント

• 非破壊でデバイス内部の特異箇所を把握
• 断面観察にて特異箇所の詳細な構造や組成情報を評価

MST技術資料No.	C0572
掲載日	2019/08/29
測定法・加工法	［SEM］走査電子顕微鏡法 ［SEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（SEM） X線CT法 ［FIB］集束イオンビーム加工
製品分野	電子部品
分析目的	構造評価 故障解析・不良解析 製品調査