ウエハ・チップの特定箇所の前処理技術(C0184)

目的箇所のみサンプリングし、ウエハを割らずにサンプル作製します

概要

ウエハ・チップを割らずに小片を抜き出して薄片化し、高分解能TEM観察・分析を行います。
さらに分析したい箇所を残してカットしてサンプルを作製することで、目的箇所をご要望のあらゆる方向からTEM観察・分析し、データをご提供します。高度なTEMサンプル作製技術を通じて、様々な観察・分析・評価ニーズにお応えします。

データ

高度なTEMサンプル作製技術

様々な観察・分析・評価ニーズにお応えします

MST技術資料No.C0184
掲載日2010/06/22
測定法・加工法[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)
[TEM-EELS]電子エネルギー損失分光法
[FIB]集束イオンビーム加工
製品分野LSI・メモリ
分析目的組成評価・同定
組成分布評価
形状評価
構造評価

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イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
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[FIB]集束イオンビーム加工
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酸化物半導体
形状評価
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[FIB]集束イオンビーム加工
パワーデバイス
故障解析・不良解析
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パワーデバイス
微量濃度評価
形状評価
構造評価
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[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EELS]電子エネルギー損失分光法
雰囲気制御下での処理
二次電池
化学結合状態評価
組成分布評価
形状評価
膜厚評価
構造評価
製品調査
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ウルトラミクロトーム加工
その他
バイオテクノロジ
医薬品
化粧品
日用品
組成評価・同定
組成分布評価
形状評価
膜厚評価
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その他
医薬品
化粧品
日用品
食品
形状評価
製品調査
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日用品
その他
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二次電池
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化粧品
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[FIB]集束イオンビーム加工
LSI・メモリ
形状評価
構造評価
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