TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析(C0403)
薄膜の表面吸着ガス、膜中からの脱離ガスを評価可能
概要
Si基板上SiN膜に関するTDS分析結果を示します。
100℃近傍までの低温域では脱ガスが少なく、試料の表面に吸着成分が少なかったことが分かります。一方、試料の温度が上昇するに従い、m/z 2(H2)、m/z 18(H2O)、m/z 27(C2H3:有機物のフラグメント成分)が脱離しているのが分かります。高真空下(1E-7Pa)で分析を行うTDSは膜表面の吸着ガス成分や膜中の微量ガス成分の評価に有効です。
データ
図1 SiN膜の測定概略図
図2 SiN膜のTDS分析結果
表1 検出成分の定量値算出結果(1cm2あたり)
MST技術資料No. | C0403 |
掲載日 | 2016/01/14 |
測定法・加工法 | [TDS]昇温脱離ガス分析法
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製品分野 | LSI・メモリ
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分析目的 | 組成評価・同定
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