TDSによるレジスト膜の脱ガス評価(C0498)

TDSにより有機膜からの脱ガス成分評価、温度依存性評価が可能です

MST技術資料No.C0498
掲載日2017/12/21
測定法・加工法[TDS]昇温脱離ガス分析法
製品分野電子部品
照明
ディスプレイ
分析目的組成評価・同定
微量濃度評価
その他

概要

TDSは高真空中(1E-7 Pa)で試料を昇温し、試料から脱離するガスを質量分析計を用いて調査する手法です。真空装置であるため有機物の多量の脱離を嫌いますが、試料量を調整することによりTDSで評価が可能です。
レジスト膜についてTDS分析を実施した例を以下に示します。有機物、水、H2S、SO2などレジスト膜起因の脱ガスが検出されました。また成分により、脱離の温度が異なることが分かりました。

データ

レジスト膜の脱ガスについて、TDSにて成分と温度依存性を調査しました。
試料:Si基板上レジスト膜

  • 150℃付近: 水、有機物、フッ素が検出
  • 350℃付近: 水、SO2、H2Sが検出
  • 500℃付近: メタンが検出

図1 レジスト膜の脱ガス結果

適用例

レジスト膜、ポリイミド膜などの有機膜からの脱ガス評価

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