TDSによるレジスト膜の脱ガス評価(C0498)
TDSにより有機膜からの脱ガス成分評価、温度依存性評価が可能です
概要
TDSは高真空中(1E-7 Pa)で試料を昇温し、試料から脱離するガスを質量分析計を用いて調査する手法です。真空装置であるため有機物の多量の脱離を嫌いますが、試料量を調整することによりTDSで評価が可能です。
レジスト膜についてTDS分析を実施した例を以下に示します。有機物、水、H2S、SO2などレジスト膜起因の脱ガスが検出されました。また成分により、脱離の温度が異なることが分かりました。
データ
レジスト膜の脱ガスについて、TDSにて成分と温度依存性を調査しました。
試料:Si基板上レジスト膜
- 150℃付近: 水、有機物、フッ素が検出
- 350℃付近: 水、SO2、H2Sが検出
- 500℃付近: メタンが検出
図1 レジスト膜の脱ガス結果
適用例
レジスト膜、ポリイミド膜などの有機膜からの脱ガス評価
MST技術資料No. | C0498 |
掲載日 | 2017/12/21 |
測定法・加工法 | [TDS]昇温脱離ガス分析法
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製品分野 | 電子部品 照明 ディスプレイ
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分析目的 | 組成評価・同定 微量濃度評価 その他
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