TDSによる温度保持中の脱ガス評価(C0530)

温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます

概要

TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。
Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H₂の脱離量を調査した例を示します。
単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH₂の検出強度は低下し、再昇温時に脱ガスピークが確認されました。

データ

TDSでは、着目のガスが、①何℃で脱離するか、②温度保持中も脱離するか、③一定温度で何時間保持すれば脱ガス強度が低下するか、について知見を得ることができます。

図1　SiN膜のH₂脱離の評価

測定条件

昇温速度：60℃/min
保持条件：350℃ 60min

表1　H₂の定量値算出結果（1cm²あたり）

昇温条件	H₂の分子数（個）
単純昇温	5.6E+16
温度保持	5.8E+16

H₂の定量値は、単純昇温と温度保持でほぼ同量となりました。

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MST技術資料No.	C0530
掲載日	2018/08/23
測定法・加工法	［TDS］昇温脱離ガス分析法
製品分野	LSI・メモリパワーデバイス製造装置・部品
分析目的	微量濃度評価その他

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