TDSによる温度保持中の脱ガス評価(C0530)

温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます

MST技術資料No.C0530
掲載日2018/08/23
測定法・加工法[TDS]昇温脱離ガス分析法
製品分野LSI・メモリ
パワーデバイス
製造装置・部品
分析目的微量濃度評価
その他

概要

TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。
Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。
単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出強度は低下し、再昇温時に脱ガスピークが確認されました。

データ

TDSでは、着目のガスが、①何℃で脱離するか、②温度保持中も脱離するか、③一定温度で何時間保持すれば脱ガス強度が低下するか、について知見を得ることができます。

図1 SiN膜のH2脱離の評価

測定条件
  • 昇温速度:60℃/min
  • 保持条件:350℃ 60min

表1 H2の定量値算出結果(1cm2あたり)

昇温条件 H2の分子数(個)
単純昇温 5.6E+16
温度保持 5.8E+16

H2の定量値は、単純昇温と温度保持でほぼ同量となりました。

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