TDSによる有機膜の熱処理温度依存性評価(C0499)
試料のベーク温度の違いによる脱ガスの変化をTDSで確認できます
概要
TDSは昇温と共に脱離する無機ガス・有機ガスについて、脱離の温度依存性も評価可能です。そのため、試料のベーク温度による脱ガスの評価に有効です。
レジスト膜について50℃ベーク、200℃ベークを行い、それぞれについてTDS分析を行った結果を示します。「50℃ベーク後」に検出された200℃までの脱ガスピークが、「200℃ベーク後」では検出されていないことが確認できました。
データ
50℃ベーク後
200℃までに脱ガスあり
200℃ベーク後
200℃まではほぼ脱ガス無し
ポイント
試料のベーク温度による脱ガスの変化を捉えることができます
MST技術資料No. | C0499 |
掲載日 | 2017/12/21 |
測定法・加工法 | [TDS]昇温脱離ガス分析法
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製品分野 | 電子部品 照明 ディスプレイ
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分析目的 | 組成評価・同定 微量濃度評価 その他
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