AES分析によるウエハ表面上の異物評価(C0334)

加工無しで30nmサイズの組成分析が可能

MST技術資料No.C0334
掲載日2014/04/10
測定法・加工法[AES]オージェ電子分光法
製品分野LSI・メモリ
電子部品
製造装置・部品
分析目的組成評価・同定
組成分布評価
故障解析・不良解析

概要

AES分析は最表面から数nm深さまでの組成情報を得る手法であり、製造工程において表面に生じた汚染や異物の組成を調べる際に有効な分析です。基板などの母材の情報を検出することが少ないため、異物など異常箇所のみの情報を前処理加工などを行わず簡便に調べることが可能です。また面分析を行うことで元素分布像を得ることができます。
本事例ではSiウエハ上に存在する異物について、AES分析を用いて評価したデータをご紹介します。

データ

AES装置に搭載されたSEMで二次電子像を取得し、Si基板表面にて異物の存在を確認しました。
点分析を行ったところ(図1)二次電子像で白いコントラストの異物からはAgが、周囲の黒いコントラストの領域からはCが検出されました。検出された各元素について面分析を行いました。(図2)
このようにAESでは30nm程度の微小異物の組成についても空間分解能良くデータを取得可能です。

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